EUV 之後會是什麼?ASML 展開 Hyper-NA 時代計畫

作者 | 發布日期 2026 年 06 月 18 日 10:40 | 分類 公司治理 , 半導體 , 材料、設備 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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EUV 之後會是什麼?ASML 展開 Hyper-NA 時代計畫

荷蘭晶片設備大廠 ASML 在 SPIE EUVL 2026 說明,強調 EUV 仍是先進製程擴產的重要瓶頸,公司已用 High-NA 推動下階段量產,並提出 Hyper-NA 長期技術藍圖。

ASML指出,從0.33 NA到0.55 NA的High-NA EUV可以在更少曝光次數下完成圖案轉印,大幅降低製程複雜度並提升效率。近年已取得多項關鍵里程碑:首台0.55 NA機型EXE:5000於2023年第四季出貨,首片晶圓2024年第三季完成曝光;後繼機型EXE:5200B於2025年第四季交貨,據稱使用2025年亮相的1000W雷射光源時可達約175WpH(wafers per hour)。此外,High-NA相關生產也達成規模性進展,2025年12月累積達成約50萬片High-NA晶圓。

ASML高層表示,High-NA邁向高量產(HVM)進度動能優秀,客戶端EXE:5000與EXE:5200B的結果,正逐步累積進入高量產條件。公司認為,晶片設計與代工需求持續演進,High-NA將是短中期推進先進製程的重要路徑。

對於更長期演進,ASML已提出Hyper-NA概念,定義為數值孔徑高於0.75(>0.75 NA),目標在更先進節點維持單次曝光的可行性。公司主管並指出,若依製程縮小路線圖推估,下一步數值孔徑的提升可能2030年代中後期開始(A7節點預計約2033年達量產),但ASML也強調可重用High-NA時代建立的平台架構(如EXE:系列)降低Hyper-NA導入時的系統變動及成本壓力,期望隨時間逐步讓新技術可負擔。

ASML現在呈現一條分段推進路線:推動High-NA進入HVM並持續提升輸出效率,同時規劃Hyper-NA為2030年代中後期的長期選項,以支撐未來先進節點與大規模運算擴張需求。

(首圖來源:ASML

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