英特爾擴建在美光罩產能，強化 18A、High-NA EUV 先進製程布局

英特爾本週啟動在美國加州聖塔克拉拉（Santa Clara）Bowers 園區的擴建計畫，目的是在美提升光罩產能。該公司計畫在園區新建一座製造工廠與一座新的公用設施建築，以強化該園區作為英特爾光罩關鍵生產據點的地位。

外媒 Tom’s Hardware 報導，英特爾今年稍早時已獲准在 Bowers 園區興建一座 107,000 平方英尺（約 9,940 平方公尺）的新製造設施，並配備一級無塵室。該廠將能製作 6 吋 × 6 吋的光罩，適用於 DUV 與 EUV 各種製程節點（從 32 奈米至 1.4 奈米等級），但主要重點將放在 Intel 18A、18A-P、14A 等更先進製程，因為這些製程依賴更先進的光罩設計。

報導稱，每一款先進晶片產品都需要數百張光罩，而每一次光罩版本更新都可能直接影響整體量產時程。此外，在 EUV 製程中，光罩隨時間可能受到工具損耗，能否快速自製並更新光罩變得更加關鍵。

英特爾旗下奧地利晶片製造設備商 IMS Nanofabrication Global，主要開發「多光束光罩寫入工具」（multi-beam mask writing tool）。英特爾自 2009 年開始投資 IMS，並於 2015 年收購剩餘股權。值得注意的是，台積電於 2023 年亦從英特爾手中收購 10% 股權。

英特爾當時表示，這項投資為 IMS 增強獨立性，將帶動關鍵微影技術發展，使整個半導體製造生態系受惠。

報導指出，傳統光罩製作通常使用單束電子束設備，速度較慢；而 IMS 多電子束光罩寫入機（MBMW）可同時投射 262,144 束可獨立控制的電子束，大幅提升產能，同時維持奈米級精度。

英特爾晶圓代工部門（Intel Foundry）與 Mask Operations 副總裁 Frank Abboud 表示，透過擴建 Bowers 園區的光罩業務，將強化支撐全球先進製程生產的關鍵能力，並彰顯英特爾晶圓代工對推動美國半導體製造領導地位的承諾。

英特爾 Bowers 園區自 1986 年起即專門從事光罩生產，與俄勒岡州 Hillsboro 設施共同構成公司主要光罩製造體系。