搶攻 AI 需求 中國兩家記憶體廠傳倍增產能

作者 | 發布日期 2026 年 07 月 08 日 8:30 | 分類 AI 人工智慧 , 中國觀察 , 半導體 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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搶攻 AI 需求  中國兩家記憶體廠傳倍增產能

搶攻 AI 需求,中國 2 家記憶體大廠傳出將倍增產能,而此舉有可能將遏止全球記憶體價格飆漲態勢。

日經新聞7日報導,中國兩家記憶體大廠將擴增AI用記憶體產能,長鑫存儲技術(CXMT)、長江存儲科技(YMTC)將興建工廠,預估產能將在2027年以後擴增至現行的2倍以上水準,藉此搶攻缺貨情況加劇的半導體需求。

報導指出,CXMT生產DRAM以及堆疊DRAM的「HBM」(高頻寬記憶體),據業界關係人士指出,CXMT據悉正利用安徽省合肥市工廠生產HBM,而正在上海市興建中的工廠也計劃在2027年全面量產,待新廠投產後,整體產能預估將增至現行的2倍以上。

YMTC生產NAND Flash以及以NAND Flash做為關鍵零件的固態硬碟(SSD),正在湖北省武漢市興建第3座工廠,且目標將量產時間從原先規劃的2027年提前至2026年底。YMTC並規劃追加興建2座工廠,全數投產後,預估產能將增至現行的2倍以上。

據報導,市場預期,隨著CXMT、YMTC擴充產能,有望遏止全球記憶體價格飆漲態勢。港媒財華社指出,「隨著新廠集中在2027年下半年投產,供需將再度趨於平衡,價格上漲週期很有可能將步入尾聲」。據香港調查公司Counterpoint的資料顯示,2026年1-3月CXMT DRAM全球市占率(以金額換算)為8%,較去年同期揚升5個百分點,YMTC NAND Flash市占率為13%,較去年同期揚升5個百分點。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock)

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