英特爾預計 2021 年全面轉向 144 層堆疊 NAND，還將推新 Optane
作者 | 發布日期 2020 年 05 月 11 日 10:15 | 分類 會員專區 , 記憶體 , 零組件 line share follow us in feedly line share
英特爾預計 2021 年全面轉向 144 層堆疊 NAND，還將推新 Optane


處理器龍頭英特爾（Intel）近期在快閃記憶體的發展也隨其他廠商的腳步，開始有新進度。根據外媒報導，英特爾快閃記憶體部門最近公布發展藍圖，其他 NAND 快閃記憶體供應商都開始向 1xx 層堆疊發展當下，身為主要 NAND 製造商之一的英特爾也預計 2021 年全面轉向 144 層堆疊產品。

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