KLA 推出革命性 X 射線量測系統，解決記憶體晶片垂直結構量測挑戰

半導體設備廠科磊 (KLA) 宣布推出革命性的 Axion T2000 X 射線量測系統，供先進的記憶體晶片製造商使用。

KLA 表示，3D NAND Flash 及 DRAM 記憶體晶片的製造包含極高結構之精密構造，具有深層、狹窄的孔洞和間隙，以及其它複雜精細的建構形狀，而這些都需要控制在奈米尺度的等級。因此，Axion T2000 具有可增強其量測高長寬比裝置之專利技術，具備高解析度、準確度、精確度和速度之組合。Axion T2000 透過發現能影響記憶體晶片性能的微小形狀異常，有助於確保成功生產用於像是 5G、人工智慧 （AI）、資料中心和邊緣運算等應用之記憶體晶片。

KLA 半導體製程控制業務事業單位總裁 Ahmad Khan 表示，KLA 的新型 Axion T2000 X 射線量測系統是先進的 3D NAND Flash 和 DRAM 中，製程控制規則的改變者。Axion T2000 使用穿透式 X 射線技術，可視覺化到 100:1 或更高長寬比的 3D 結構。從這些極端垂直結構的頂部到最底部，Axion 資料可使製程裡的關鍵參數提供更嚴格控制，例如寬度、外形和傾斜度。此外，透過產線上即時量測，Axion 還可在大批量生產記憶體晶片時，在解決良率和可靠性問題時，可縮短所需的產品週期時間。

KLA 強調，Axion T2000 是一款 CD-SAXS （關鍵尺寸小角度 X 射線散射）系統，可利用獨特的 X 射線技術，對記憶體裝置的關鍵尺寸和 3D 外形進行高解析度的量測。高通量光源可提供 X 射線在整個垂直記憶體結構中傳導，無論其現今結構的高度，或未來更高的結構，皆可進行量測。

另外，Axion T2000 具備領先業界的量測範圍，能協助在多個角度獲取衍射影像，提供豐富的 3D 幾何資訊。尤其，搭配先進的 AcuShape 演算法，可量測許多關鍵裝置製程參數以及微小變異的偵測，能影響記憶體晶片的最終功能。根據以上的創新技術，Axion T2000 能以非破壞性的方式，協助記憶體製造商優化、監測和控制線上製程步驟所需的量測資料。

目前已有多套系統在頂尖的記憶體製造商中運轉，而 Axion T2000  加入了  KLA  的先進量測系統家族之後，可為 3D NAND Flash 和  DRAM  製造商提供複雜製程參數的精確量測。目前，從早期研發階段到大量生產之完整範圍量測，KLA 的完整的量測組合所產生的訊息，將可促進產能增長、提昇產品品質和提升生產良率。 了維持高效能和高產能，Axion T2000 也得到了 KLA 全球綜合服務網的支援。

(首圖來源：KLA 提供)