根據南韓媒體《The Investor》的報導,三星即將在 12 月 19 日舉行的一年兩次「全球戰略會議」上,由接任三星半導體業務負責人的金奇南(Kim Ki-nam)宣布,未來三星在半導體業務上將強化在非記憶體的 SOC(系統晶片)及代工業務的發展上。這是三星半導體部門在尋求當前除了最賺錢的記憶體業務之外,未來新的營收來源計畫。
Category Archives: 記憶體
威騰加速 2D NAND 轉向 3D NAND 生產,且 96 層 3D NAND 已開始交貨 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2017 年 12 月 15 日 11:50 | 分類 國際貿易 , 會員專區 , 記憶體 |
就在威騰電子 (Western Digital ) 與日本半導體大廠東芝 (Toshiba) 就出售半導體部門,給予貝恩資本 (Bain Capital) 所領軍的美日韓聯盟一事達成和解之後,日前威騰電子召開會議,主要討論關於與東芝合作的各項協議細則。另外,還提出 NAND 快閃記憶體的生產計劃,並宣布開始將 96 層堆疊的 3D NAND 快閃記憶體交付零售商販售。
擴產與淡季影響,2018 年第一季 NAND Flash 產業供過於求致價格走跌 |
| 作者 TechNews|發布日期 2017 年 12 月 11 日 14:25 | 分類 儲存設備 , 記憶體 , 財經 |
根據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)研究指出,2018 年第一季在需求端面臨傳統淡季的衝擊,預計智慧型手機、平板電腦裝置量需求將較 2017 年第四季下跌逾 15%,而伺服器需求相對持平,整體位元需求量較 2017 年第四季呈現 0~5% 下跌。另一方面,NAND Flash 供應商仍持續提升 3D-NAND Flash 的產能及良率,位元產出成長亦較第四季高於 5%,預期 NAND Flash 市場將進入供過於求態勢,2018 年第一季固態硬碟、NAND Flash 顆粒及 wafer 等合約價皆將翻轉走跌。 繼續閱讀..
Rambus 揭露下一代記憶體速度,DDR5 與 HBM3 頻寬再翻倍 |
| 作者 T客邦|發布日期 2017 年 12 月 11 日 8:01 | 分類 記憶體 , 零組件 |
Intel Pentium 4 發售初期,因為市面沒有其他足以匹配 FSB 前端匯流排速度的記憶體,而選擇採用較不常見的 RDRAM 搭配,其後的主要技術來源即為 Rambus 公司。近日 Rambus 在一場投資者會議談到未來記憶體趨勢,DDR5 和 HBM3 傳輸速度相較現行產品均翻倍。 繼續閱讀..



