記憶體不同調，DRAM 仍緊、NAND 恐過剩 |
作者
中央社|發布日期
2017 年 12 月 24 日 21:56 |
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Category Archives: 記憶體
因應高效能運算需求，英特爾推出新款可重複程式設計晶片 |
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作者
Atkinson|發布日期
2017 年 12 月 22 日 17:30 |
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半導體大廠英特爾（Intel）於 21 日宣布，推出業界首款採用整合式高頻寬記憶體 DRAM（HBM2）的可重複程式設計的晶片（FPGA）──Stratix 10 MX FPGA。該產品可通過整合 HBM2 提供 10 倍於獨立 DDR 記憶體解決方案的記憶體頻寬。而憑藉強大頻寬功能，Stratix 10 MX FPGA 將可用做高性能運算（HPC）、資料中心、網路功能虛擬化（NFV）等許多基本的功能加速器，使得這些需要應用到硬體加速器的部分，能提升大規模資料移動和資料管道框架的速度。
聯電推出 40 奈米 SST 嵌入式快閃記憶體製程，東芝 MCU 評估採用 |
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作者
Atkinson|發布日期
2017 年 12 月 21 日 18:30 |
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晶圓代工廠聯電 21 日宣布，推出 40 奈米結合 Silicon Storage Technology（SST）嵌入式 Super Flash 非揮發性的記憶體製程平台。而新推出的 40 奈米 SST 嵌入式快閃記憶，較當前量產的 55 奈米製程在單元尺寸上減少逾 20% ，並使整體記憶體面積縮小 20% 到 30%。目前，日本半導體大廠東芝電子元件暨儲存產品公司已開始評估其微處理器（MCU）晶片於聯電 40 奈米 SST 技術製程平台的適用性。
用 CRISPR 做出世界最小的記錄器 |
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作者
Chen Jeffery|發布日期
2017 年 12 月 21 日 7:45 |
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音訊可以保存在磁帶介質上，而微生物的資料記錄器則可將生物訊號儲存在 CRIPSR 序列中。 繼續閱讀..
韓系兩大 DRAM 廠確定 2018 年首季漲價，DRAM 漲勢短期難降溫 |
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作者
Atkinson|發布日期
2017 年 12 月 19 日 17:45 |
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DRAM 記憶體市場近期嚴重供不應求，造成全球記憶體龍頭三星將於 2018 年第 1 季價格再上調 3% 至 5%。而另一家記憶體大廠 SK 海力士也將調漲約 5%。除此之外，有部分供應鏈透露，2018 年第 2 季的價格恐也將不樂觀，價格將續漲 5% 以上。因此，在需求太強勁的情況下，此波 DRAM 價格從 2016年下半年以來，每季都呈現上漲的態勢。如果加上 2018 年第 1 季持續漲價，報價已經連續 7 季走揚，堪稱 DRAM 史上時間最長的多頭行情。
第四季 DRAM 銷售額預估年增 65%，再寫史上新高 |
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作者
MoneyDJ|發布日期
2017 年 12 月 19 日 11:30 |
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今年記憶體供給吃緊，推升價格持續走揚，研調機構 IC Insights 預期第四季 DRAM 銷售金額將創歷史新高。 繼續閱讀..
