相較目前主流的矽晶圓（Si），第三代半導體材料 SiC 與 GaN（氮化鎵）具備耐高電壓特色，並有耐高溫與適合在高頻環境下優勢，其可使晶片面積大幅減少，並簡化周邊電路設計，達成減少模組、系統周邊零組件及冷卻系統體積目標，GaN 應用範圍包括射頻、半導體照明、雷射器等領域。 繼續閱讀..
Category Archives: 零組件
10 月合約價格正式起跌，主流模組 4GB 面臨 30 美元保衛戰 |
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TechNews|發布日期
2018 年 11 月 05 日 14:45 |
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根據 TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查，各大廠已議定第四季合約價的情況下，10 月合約價格開始大幅滑落，主流模組 4GB 的均價自上季的 34.5 美元滑落至 31 美元，跌幅 10.14%；大容量模組 8GB 跌幅更明顯，自上季的 68 美元滑落至 61 美元，跌幅為 10.29%。由於 DRAM 市場供過於求的態勢才剛開始，因此不排除 11 月與 12 月價格將持續下探。由於各家廠商積極求售，8GB 解決方案的跌幅預期將會持續高於 4GB 解決方案。 繼續閱讀..
全球首款！SK 海力士成功研發 96 層 4D NAND，年內量產 |
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作者
MoneyDJ|發布日期
2018 年 11 月 05 日 13:00 |
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韓聯社、東亞日報日文版報導，南韓半導體大廠 SK 海力士（SK Hynix Inc.）於 4 日宣布，已成功研發出較現行 3D 架構 NAND 型快閃記憶體（Flash Memory）進一步進化的「4D NAND Flash」產品。SK 海力士表示，現行大多數廠商都在 3D NAND 上採用 CTF（Charge Trap Flash，電荷儲存式快閃記憶體），而 SK 海力士則是在 CTF 架構上追加「PUC（Peri Under Cell）」技術，研發出全球首款堆疊 96 層的 512Gb 3bit/cell（Triple Level Cel，TLC）4D NAND Flash 產品。 繼續閱讀..
TechNews 科技早報 – 20181105 |
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作者
technewsdaily|發布日期
2018 年 11 月 05 日 9:08 |
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3D NAND 量產 力成華泰接單旺
隨著 NAND Flash 每 GB 價格下探 0.1 美元的甜蜜點後，包括固態硬碟（SSD）及智慧型手機的容量升級需求已被引爆，也導致全球 NAND Flash 原廠全力擴產搶進 3D NAND 市場。雖然業界普遍… 繼續閱讀..
12 個黑手董仔，種出花博最猛機械花 |
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作者
商業周刊|發布日期
2018 年 11 月 04 日 0:00 |
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「走，我們到最上面去！」上銀科技總經理蔡惠卿指著 15 米高的巨大機械花，邀記者爬到工地頂端，當記者還在猶豫不決，她已領著十多名中部企業代表，浩浩蕩蕩往上爬。 繼續閱讀..
美控聯電與晉華竊密，半導體業者：台廠宜低調 |
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作者
中央社|發布日期
2018 年 11 月 03 日 23:05 |
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聯電與中國福建晉華遭美國司法部起訴指控共謀竊取美光商業機密，震撼各界。半導體業者認為，聯電遭刑事起訴，應與美中貿易戰有關，當前環境複雜，台灣廠商低調為宜。
