Category Archives: 半導體

三星西安廠 3D NAND 晶片量產一度停擺,不致影響市場價格

作者 |發布日期 2015 年 01 月 27 日 17:19 | 分類 晶片 , 會員專區

日前韓國媒體 Digital daily 報導了三星電子(Samsung Electronics)在中國西安負責產製 3D NAND Flash 廠區,傳出產線一度全面中斷的消息,韓國媒體表示有多達 3 萬片晶圓悉數報廢,預估損失金額為 6,000 萬美元。不過,根據科技新報(TechNews)從韓國方面獲得的了解,三星 NAND 廠這件事情大約是發生在 2014 年 12 月份,並不是報紙刊登報導的 2015 年 1 月份,而且只有大約一千片晶圓損毀報廢,並沒有媒體傳言的三萬片那樣多。 繼續閱讀..

迎接 DRAM 新時代 – 淺談 DDR4 的技術變革與市場趨勢

作者 |發布日期 2015 年 01 月 24 日 0:00 | 分類 晶片 , 零組件

動態隨機存取記憶體(Dynamic Random-Access Memory,DRAM)是常見的記憶體元件。在處理器相關運作中,DRAM 經常被用來當作資料與程式的主要暫存空間。相對於硬碟或是快閃記憶體(Flash Memory),DRAM 具有存取速度快、體積小、密度高等綜合優點,因此廣泛的使用在各式各樣現代的科技產品中,例如電腦、手機、遊戲機、影音播放器等等。 繼續閱讀..

台積擴廠環評 3 度卡關 中科:有信心於農曆年前通過

作者 |發布日期 2015 年 01 月 22 日 10:15 | 分類 晶片 , 財經

台積電總投資額達 5,000 億元的中科 18 吋晶圓廠擴廠計畫,於昨(21)日第三度召開環評大會,結果再度闖關失敗。昨日擔任會議主席的環保署長魏國彥裁示,針對環團所提出的十多項健康風險相關問題,中科管理局須補齊資料並回覆後,再行召開環評大會審查,意即宣告再度闖關失敗。 繼續閱讀..

美光 NAND 與 DRAM 事業觸底、毛利看俏?股價結束 6 連跌

作者 |發布日期 2015 年 01 月 21 日 15:30 | 分類 晶片 , 財經

barron’s.com 報導,Susquehanna Financial Group 分析師 Mehdi Hosseini 20 日發表研究報告指出,美國記憶體大廠美光(Micron Technology)的 NAND 型快閃記憶體、DRAM 事業已然觸底,其股價的 20% 跌幅也充份反應了風險,令報酬顯得更具吸引力。Hosseini 將美光的投資評等從「中立」調高至「正面」。 繼續閱讀..

傳高通 Snapdragon 810 過熱,三星 Galaxy S6 棄用

作者 |發布日期 2015 年 01 月 21 日 14:33 | 分類 晶片 , 會員專區

據 Bloomberg 援引知情人士的消息稱,由於高通 Snapdragon 810 處理器在測試中過熱,三星下世代Galaxy S 智慧型手機將不會採用這款晶片,Galaxy S6 將全部配置三星的處理器,Galaxy S 系列智慧型手機是三星旗下銷量最高的產品線之一,失去這一訂單對高通來說並不是一個好消息。 繼續閱讀..