HBM4 已成為記憶體大廠的新戰場,三星正藉由大規模的投資縮小與當前市場龍頭 SK 海力士的差距。ZDNet Korea 報導,三星計劃在韓國華城和平澤擴大 1c DRAM (第六代 10 奈米等級) 製程產線,投資年底啟動。
三星擴大 1c DRAM 產能,力拚 HBM4 超車競爭對手 |
作者 Atkinson|發布日期 2025 年 05 月 23 日 9:45 | 分類 Samsung , 半導體 , 記憶體 |
三星確認興建平澤新工廠,投資 30 兆韓圜生產 DRAM 及 NAND Flash |
作者 Atkinson|發布日期 2018 年 03 月 02 日 15:30 | 分類 Samsung , 國際貿易 , 會員專區 | edit |
根據南韓媒體的報導,南韓記憶體大廠三星已經確認,將會在南韓平澤市興建一座新的半導體工廠,用於擴大 DRAM、NAND Flash 快閃記憶體的產能。之前,南韓媒體《FN News》曾經引用業界人士和平澤市官員說法報導指出,三星電子將召開管理委員會議,決定是否興建第 2 座晶片廠,並於農曆新年後宣布決定。報導指出,總投資額可能約為 30 兆韓圜(約 27.6 億美元)。
三星最大手筆投資!南韓平澤廠破土 |
作者 MoneyDJ|發布日期 2015 年 05 月 08 日 9:23 | 分類 晶片 | edit |
三星電子(Samsung Electronics)旗下佔地最廣的晶片廠,7 日正式動工,三星砸錢蓋新廠,金額之高創下紀錄。破土典禮冠蓋雲集,南韓總統朴槿惠也出席觀禮。 繼續閱讀..