Tag Archives: 晶圓代工

第三季前十大晶圓代工產值季增 6%,第四季營收將正式進入修正期

作者 |發布日期 2022 年 12 月 08 日 15:50 | 分類 半導體 , 晶圓 , 晶片

TrendForce 研究,受惠於 iPhone 新機備貨需求帶動蘋系供應鏈拉貨動能,推升第三季前十大晶圓代工業者產值達 352.1 億美元,季增 6%。但無奈全球總經表現疲弱、高通膨及中國防疫政策持續衝擊消費市場信心,導致下半年旺季不旺,延遲庫存去化,使得客戶對晶圓代工業者訂單修正幅度加深,預期第四季營收將因此下跌,正式結束過去兩年晶圓代工產業逐季成長的盛況。 繼續閱讀..

外媒:對不起,美國!400 億美元買不到晶片獨立

作者 |發布日期 2022 年 12 月 08 日 10:30 | 分類 半導體 , 國際貿易 , 晶圓

12 月 6 日,美國總統拜登在有史以來最大外商投資案的台積電亞利桑那州晶圓廠移機典禮致詞時表示,美國製造回來了!更盛讚是地表最先進晶片,蘋果以往必須從海外購買先進晶片,現在可從本土供應鏈取得更多,這會改變遊戲規則。但彭博社以名為「對不起,美國!400 億美元買不到晶片獨立」專文表示,台積電美國設晶圓廠的計畫僅杯水車薪,不會改變遊戲規則,潑了拜登認為半導體製造重返美國一盆冷水。

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台積電亞利桑那州晶圓廠移機典禮客戶齊聚,致詞透露什麼端倪?

作者 |發布日期 2022 年 12 月 07 日 17:30 | 分類 半導體 , 國際貿易 , 晶圓

12 月 6 日在台積電美國亞利桑那州 Fab21 晶圓廠舉行的設備移機典禮,現場除了美國總統拜登與各級官員親自蒞臨之外,台積電各種要客戶高層也都齊聚,來見證這個美國有史以來最大的外商投資計畫。這當中參與典禮的各家科技大廠,都是台積電創造每年驚人營收的重要來源。因此,在典禮上他們高層的致詞,或許也能看出部分端倪,進一步知悉這些廠商未來對台積電亞利桑那州晶圓廠的下單狀況。

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第一期工程預算超額!台積赴美設廠「超燒錢」,外資估稀釋明後年毛利率

作者 |發布日期 2022 年 12 月 07 日 11:36 | 分類 半導體 , 晶圓 , 會員專區

台積電宣布在亞利桑那州晶圓廠興建第二期工程,兩期工程總投資金額約 400 億美元,成為美國史上規模最大的外國直接投資案之一。美系外資出具最新報告指出,在美設廠雖可能稀釋掉台積近兩年的毛利率,但可減少地緣政治風險和投資人隱憂,仍給予「優於大盤」評級,目標價 720 元。 繼續閱讀..

歷史性一刻!台積電移機典禮科技大老雲集,拜登:遊戲規則將改變

作者 |發布日期 2022 年 12 月 07 日 9:05 | 分類 公司治理 , 半導體 , 晶圓

台積電今日宣布亞利桑那州晶圓廠開始興建第二期工程,2026 年生產 3 奈米,興建中第一期工程 2024 年投產 N4 製程,兩期工程總投資金額約 400 億美元,成為亞利桑那州史上規模最大外國直接投資案,也是美國規模最大外國直接投資案。

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先進製程上演三國爭霸,台積電、三星、英特爾力拚誰是贏家

作者 |發布日期 2022 年 12 月 06 日 8:31 | 分類 半導體 , 晶圓 , 晶片

呼應美國政府「半導體製造業重返美國」的計畫,晶圓代工龍頭台積電 2020 年宣布在亞利桑那州興建 5 奈米晶圓廠 Fab21,以因應美國政府與客戶的需求,為台積電打開了海外擴產的大門,該計畫也將在 12 月 6 日迎接機台移機的重要里程碑。 繼續閱讀..

台積電機器學習最佳化冰水系統節能,省電 200 萬度與減碳 1,000 公噸

作者 |發布日期 2022 年 12 月 02 日 9:10 | 分類 半導體 , 晶圓 , 晶片

晶圓代工龍頭台積電推動綠色製造,積極以創新思維提升能資源使用效率,持續透過機器學習方法優化冰水系統節能模型,進一步開發「單機能耗異常偵測」、「多機運轉負載精準預測」、「系統壓力控制最佳化」三大功能,民國 111 年 1 月成功導入晶圓十五 A 廠,截至 11 月總計節電 200 萬度、減碳 1,000 公噸,民國 112 年將陸續導入台灣所有 12 吋晶圓廠區並列為新建廠標準設計,預計再創年節電量 1 億度、減碳 5 萬公噸。

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聯電與 Cadence 共同開發認證毫米波參考流程,一次完成矽晶設計

作者 |發布日期 2022 年 11 月 30 日 17:50 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 晶圓

晶圓代工大廠聯電攜手矽智財廠商益華電腦 (Cadence Design Systems, Inc.) 於 30 日宣布,雙方合作經認證的毫米波參考流程,成功協助亞洲射頻 IP 設計的領導廠商聚睿電子 (Gear
Radio Electronics) 在聯電 28HPC+ 製程技術,以及Cadence 射頻 (RF) 解決方案的架構下,
達成低噪音放大器 (LNA) IC 一次完成矽晶設計 (first-pass silicon success) 的成果。

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