三星公布 2019 年第 2 季財報展望，記憶體跌價預估獲利下跌過半 |
作者
Atkinson|發布日期
2019 年 07 月 05 日 10:15 |
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南韓三星電子 5 日公布了 2019 年第 2 季財報展望。三星表示，由於記憶體晶片的價格和需求持續疲軟的衝擊下，第 2 季的利潤較 2018 年同期減少了 56%，減幅過半。而該項消息一出，立即影響了三星的股價。5 日，三星的股價盤中一度最低來到每股 45,400 韓圜，下跌 600 韓圜，跌幅超過 1.2%。
因應日本出口管制！南韓擬年砸 1 兆韓圜投資半導體供應鏈 |
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MoneyDJ|發布日期
2019 年 07 月 03 日 15:15 |
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韓聯社、路透社、NHK 報導，南韓青瓦台（總統府）、相關省廳負責人和執政黨共同民主黨 3 日在國會舉行幹部協商會，共同民主黨議員 Cho Jeong-sik 在會後舉行的記者會上表示，為了因應日本決定加強對南韓半導體材料的出口管制，南韓每年將砸下 1 兆韓圜（約 920 億日圓）投資半導體供應鏈（包含半導體關鍵材料、零件和設備）。Cho Jeong-sik 指出，關於上述每年 1 兆韓圜的投資，「目前已開始進行初步的可行性分析」。 繼續閱讀..
新一代 High-NA EUV 設備，艾司摩爾預計 2025 年量產 |
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作者
Atkinson|發布日期
2019 年 07 月 01 日 15:15 |
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當前半導體製程微縮到 10 奈米節點以下，包括開始採用的 7 奈米製程，以及未來 5 奈米、3 奈米甚至 2 奈米製程，EUV 極紫外光光刻技術已成為不可或缺的設備。藉由 EUV 設備導入，不僅加快生產效率、提升良率，還能降低成本，使不僅晶圓代工業者積極導入，連 DRAM 記憶體的生產廠商也考慮引進。為了因應製程微縮的市場需求，全球主要生產 EUV 設備的廠商艾司摩爾（ASML）正積極開發下一代 EUV 設備，就是 High-NA（高數值孔徑）EUV 產品，預計幾年內就能正式量產。
SK 海力士搶先量產業界首款 128 層 4D NAND Flash |
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作者
MoneyDJ|發布日期
2019 年 06 月 26 日 16:00 |
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南韓記憶體大廠 SK 海力士（SK Hynix）26 日宣布，將開始量產採用 128 層 4D NAND 型快閃記憶體（NAND Flash）技術的 1TB 三階儲存單元（TLC），不僅儲存密度達業界最高，而 SK 海力士也是全球首家商業化規模生產的業者。 繼續閱讀..
日本四日市停電衝擊 TMC NAND Flash 生產，瑞穗：帶動市場回溫，TrendForce 則指影響不大 |
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作者
Atkinson|發布日期
2019 年 06 月 20 日 16:15 |
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外資瑞穗銀行 (MIZUHO) 最新研究報告指出，6 月 15 日時，日本三重縣四日市因為停電的緣故，造成記憶體大廠東芝半導體（TMC）當地營運的 5 座 NAND Flash 快閃記憶體工廠的營運中斷，預計將造成部分損失。對此，國內 TrendForce 旗下記憶體儲存研究（DRAMeXchange）則指出，就目前市場供過於求的情況下，對市場的直接衝擊有限。
2019 年底高通將發驍龍 865 處理器，兩版本分別支援 5G 與 4G LTE |
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作者
Atkinson|發布日期
2019 年 06 月 17 日 15:30 |
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根據外媒報導，行動處理器龍頭高通 (Qualcomm) 即將推出的新一代旗艦型處理器驍龍 (Snapdragon) 865 其相關數據被曝光。其中，包括該款旗艦型處理器將具有支援 5G 及 4G LTE 兩個版本。另外，兩個版本均支援 LPDDR5X 記憶體及 UFS 3.0 規格的快閃記憶體，而具體推出的時間將會在 2019 年年底。
