Tag Archives: 鎧俠

美光傳調漲 NAND Flash 價格,拉抬市場價格走勢

作者 |發布日期 2022 年 02 月 17 日 10:40 | 分類 會員專區 , 記憶體 , 財經

日前 NAND Flash 大廠威騰電子 (WDC) 及鎧俠 (KIOXIA) 日本合資工廠發生原料污染,影響部分產能,市場 NAND Flash 價格也跟著動盪。威騰開第一槍要調整 NAND Flash 價格後,市場消息傳出,美系記憶體大廠美光也將調漲 NAND Flash 價格消息,引發業界關注。

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調研:威騰 NAND Flash 污染預計 3 月中恢復,惟市況轉變價格翻漲

作者 |發布日期 2022 年 02 月 12 日 11:15 | 分類 會員專區 , 記憶體 , 財經

市場研究及調查機構《TrendForce》報告,威騰電子 (WDC) 與鎧俠 (Kioxia) 表示,兩間公司位於日本境內四日市 (Yokkaichi) 與北上市 (Kitakami) 的 NAND Flash 合資工廠發生原物料污染,預計最快 3 月中才能恢復正常生產,且扭轉第二季市況,帶動 NAND Flash 價格翻漲。

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群聯不受 WD 產線污染事件影響,外資喊讚目標價最高來到 600 元

作者 |發布日期 2022 年 02 月 11 日 12:15 | 分類 晶圓 , 晶片 , 會員專區

記憶體市場仍處於修正週期,威騰電子 10 日公告因產線原料污染導致產能受衝擊,減少數量至少 6.5EB。威騰與合資夥伴鎧俠 (KIOXIA) 合作,採取必要措施,但還是讓市場供應反轉,記憶體價格可能進一步回升。台系記憶體控制 IC 大廠群聯聲明與鎧俠有簽長期合約,供應不受衝擊,為受惠者之一。外資紛紛對群聯營運喊讚,不但提高目標價,也提高投資評等到「優於大盤」或「買進」等級。

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威騰、鎧俠材料遭污染!NAND Flash 價格看漲,外資點名受惠廠商

作者 |發布日期 2022 年 02 月 11 日 11:54 | 分類 會員專區 , 記憶體 , 財經

記憶體大廠威騰電子(Western Digital)因與鎧俠(Kioxia)合資的 NAND Flash 工廠 1 月下旬發生物料污染,初估有 6.5EB 位元產出受影響,將帶動 NAND Flash 提早於 2022 年 Q2 啟動漲價,價格上修有望模組業者獲利,同時對 NAND 業者本身帶來積極表現。 繼續閱讀..

群聯聲明供貨不受威騰污染事件影響,盤中股價一度大漲近 4%

作者 |發布日期 2022 年 02 月 10 日 11:35 | 分類 IC 設計 , 晶片 , 會員專區

外媒報導,記憶體大廠威騰電子 (Western Digital) 因 NAND 快閃記憶體產線使用受污染材料,導致不少產品受污染,國內記憶體控制 IC 廠商群聯聲明,因與威騰電子合作廠商鎧俠 (KIOXIA) 簽有長期供貨合約,供貨不受影響之外,也會密切觀察市場的供貨狀況。

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威騰快閃記憶體受原料污染影響產能,陸行之指狀況令人不解

作者 |發布日期 2022 年 02 月 10 日 9:50 | 分類 會員專區 , 記憶體 , 財經

外媒報導,記憶體大廠威騰電子 (Western Digital) 因快閃記憶體產線使用受污染材料,導致為數不少產品受污染。前外資知名分析師陸行之指出,每次記憶體價格下跌週期來臨,就會傳出天災或人禍消息,穩住市場價格,令人不解。

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大股東反彈下,東芝改為拆分成 2 家公司

作者 |發布日期 2022 年 02 月 07 日 18:30 | 分類 公司治理 , 會員專區 , 零組件

歷經公司治理醜聞後宣示進行徹底改革的日本東芝(Toshiba),原定將旗下事業拆分成以基礎建設、硬體設備、半導體記憶體為業務的 3 家公司,然而在大股東反彈聲浪下,7 日的投資人關係日宣布改拆分成東芝/基礎設施服務公司與元件公司,依舊預計在 2023 財會年度下半年完成公司拆分事宜。

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智慧手機與資料中心需求帶動,第三季 NAND Flash 總營收季增 15%

作者 |發布日期 2021 年 11 月 24 日 14:24 | 分類 伺服器 , 手機 , 記憶體

TrendForce 研究顯示,第三季 NAND Flash 市場主要成長動能由伺服器及智慧手機兩大主要應用強勁需求帶動。超大規模資料中心及企業客戶延續第二季採買動能以建置新平台產品;智慧手機受惠主要品牌旗艦新機的備貨動能,兩者均對本季需求增長貢獻卓著,然而同時間 NAND Flash 供應商也開始示警 PC OEM 訂單需求轉弱。綜合而言,第三季 NAND Flash 位元出貨量成長近 11%,平均銷售單價增長近 4%,挹注整體 NAND Flash 營收再創新高,達 188.8 億美元,季增 15%。 繼續閱讀..

不用 EUV 也能直上 5 奈米,鎧俠與合作夥伴欲先導入量產

作者 |發布日期 2021 年 10 月 22 日 15:50 | 分類 IC 設計 , 晶片 , 會員專區

半導體製程技術進入 10 奈米節點後,EUV 曝光設備是不可或缺的步驟,但 EUV 曝光設備每台價格高達 1.5 億美元,且產量有限,讓晶片生產成本驟升。為解決問題,日本記憶體大廠鎧俠(Kioxia)聯合合作夥伴開發新技術,可不使用 EUV 曝光設備就直達 5 奈米。

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