Tag Archives: 氮化鎵

恩智浦淡出射頻氮化鎵，關閉亞利桑那州錢德勒晶圓廠
作者 |發布日期 2025 年 12 月 15 日 14:15 |
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分類 半導體 , 晶圓 , 財經

根據外媒報導，荷蘭半導體大廠恩智浦半導體 （NXP Semiconductors Inc.） 於上週正式宣布一項重大戰略調整，計劃停止其射頻功率 （radio power） 產品線的生產，並預計在2027年之前關閉其位於亞利桑那州錢德勒 （Chandler） 的射頻氮化鎵 （RF GaN） 晶圓廠。

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氮化鎵功率半導體車用化發展趨勢分析
作者 |發布日期 2025 年 11 月 05 日 7:00 |
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分類 技術分析 , 會員專區 , 汽車科技

新能源車追求高效與輕量化，推動功率半導體由 Si-IGBT 逐步轉向寬能隙材料，GaN 憑藉高頻開關、低損耗與高功率密度，650V 以下電壓平台具優勢，可望於 OBC 與 DC-DC 應用展現優勢，部分車廠開始導入相關產品，相較 SiC 的 800V 高壓領域應用成熟，GaN 的 650V 以下市場成為新興選項，若資源可持續投入、成本持續最佳化與技術可再改良，未來產業有望形成「高壓用 SiC，中低壓用 GaN」互補格局。 繼續閱讀..

imec 攜手夥伴研究 12 吋氮化鎵，降低先進功率元件成本
作者 |發布日期 2025 年 10 月 08 日 9:15 |
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分類 半導體 , 晶圓 , 材料、設備

比利時微電子研究中心（imec）攜手愛思強（AIXTRON）、格羅方德（GlobalFoundries）、美商科磊（KLA）、新思科技（Synopsys）與威科儀器（Veeco）成為其 12 吋氮化鎵（GaN）開放創新研究方向的首批研究夥伴，鎖定低壓與高壓功率電子元件應用。

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台積電鎖定 12 吋碳化矽新戰場，布局 AI 時代散熱關鍵材料
作者 |發布日期 2025 年 09 月 17 日 16:40 |
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分類 半導體 , 封裝測試 , 晶圓

全球半導體產業邁入人工智慧（AI）與高效能運算（HPC）驅動的新時代，散熱管理正逐漸成為影響晶片設計與製程能否突破的核心瓶頸。當3D堆疊、2.5D整合等先進封裝架構持續推升晶片密度與功耗，傳統陶瓷基板已難以滿足熱通量需求。晶圓代工龍頭台積電正以一項大膽的材料轉向回應這一挑戰，那就是全面擁抱12吋碳化矽（SiC）單晶基板，並逐步退出氮化鎵（GaN）業務。此舉不僅象徵台積電在材料戰略 recalibration，更顯示散熱管理已經從「輔助技術」升格為「競爭優勢」的關鍵。

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氮化鎵晶片突破 800°C，高溫性能大爆發
作者 |發布日期 2025 年 08 月 12 日 11:30 |
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分類 半導體 , 晶片

在半導體領域，氮化鎵（GaN）與碳化矽（SiC）之間的競爭持續升溫。最近，賓夕法尼亞州立大學的研究團隊在電氣工程教授朱榮明的帶領下，成功研發出一款能在高達 800°C 運行的氮化鎵晶片，這一溫度足以融化食鹽，顯示出其在極端環境下的潛力。

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台積電淡出氮化鎵市場，力積電受惠客戶轉單股價攻漲停
作者 |發布日期 2025 年 07 月 03 日 13:35 |
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分類 半導體 , 晶圓 , 晶片

晶圓代工龍頭台積電證實，逐步淡出氮化鎵（GaN）市場，客戶之一美國氮化鎵大廠納微半導體（Navitas）轉單求助力積電，躋身輝達（NVIDIA）供應鏈合作夥伴，搶搭 AI 電源商機。利多消息助攻，今日力積電台股股價攻上漲停板，每股新台幣 17.65 元直到收盤，為超過一季新高價位。

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中國三大矽晶圓供應商產能快速成長！外資估 2027 年能滿足中國 36% 需求
作者 |發布日期 2025 年 06 月 24 日 9:56 |
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分類 中國觀察 , 半導體 , 晶圓

針對中國矽晶圓、碳化矽（SiC）基板、氮化鎵（GaN）市場現況，外資出具最新報告分析，中國本土 12 吋矽晶圓供應商，2024 年能滿足中國 41% 的需求，預估 2027 年將達 54%，而 8 吋 2024 年能滿足 64% 需求，預估 2027 年將達 78%。

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2025 年 GaN 發展將隨著 5G 普及和無線通訊推動下成長
作者 |發布日期 2025 年 06 月 24 日 7:30 |
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分類 技術分析 , 會員專區 , 材料

氮化鎵（GaN）高頻基板為目前 5G 通訊系統之關鍵材料，與傳統矽基板相比，其具有較佳效率、熱性能和高功率密度。隨著 5G 在全球持續部署，對高頻性能和更高訊號完整性需求不斷成長下，先進基板需求亦隨之增加。GaN 為功率放大器和射頻元件理想選擇，潛在應用領域已從通訊擴展到汽車和工業領域，將進一步鞏固 GaN 在高頻電子領域的地位。 繼續閱讀..