Tag Archives: 氮化鎵

中國三大矽晶圓供應商產能快速成長！外資估 2027 年能滿足中國 36% 需求
作者 |發布日期 2025 年 06 月 24 日 9:56 |
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分類 中國觀察 , 半導體 , 晶圓

針對中國矽晶圓、碳化矽（SiC）基板、氮化鎵（GaN）市場現況，外資出具最新報告分析，中國本土 12 吋矽晶圓供應商，2024 年能滿足中國 41% 的需求，預估 2027 年將達 54%，而 8 吋 2024 年能滿足 64% 需求，預估 2027 年將達 78%。

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2025 年 GaN 發展將隨著 5G 普及和無線通訊推動下成長
作者 |發布日期 2025 年 06 月 24 日 7:30 |
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分類 技術分析 , 會員專區 , 材料

氮化鎵（GaN）高頻基板為目前 5G 通訊系統之關鍵材料，與傳統矽基板相比，其具有較佳效率、熱性能和高功率密度。隨著 5G 在全球持續部署，對高頻性能和更高訊號完整性需求不斷成長下，先進基板需求亦隨之增加。GaN 為功率放大器和射頻元件理想選擇，潛在應用領域已從通訊擴展到汽車和工業領域，將進一步鞏固 GaN 在高頻電子領域的地位。 繼續閱讀..

比利時氮化鎵製造商 BelGaN 破產，中國也來競標晶圓生產設備
作者 |發布日期 2025 年 01 月 22 日 11:45 |
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分類 中國觀察 , 半導體 , 材料、設備

根據比利時布魯塞爾時報的報導，中國公司競標氮化鎵製造商 BelGaN 晶片製造設備。 BelGaN 日前宣布破產，中國廠商參與收購 BelGaN 晶圓廠的計畫未能實現，所以改加入晶片製造設備，預計最後競標拍賣金額將會超過 2,300 萬歐元 (約新台幣 7.9 億元)。

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英飛凌於馬來西亞啟用全球最大，最具效率碳化矽功率半導體晶圓廠
作者 |發布日期 2024 年 08 月 09 日 8:30 |
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分類 半導體 , 國際觀察 , 晶圓

歐洲半導體大廠英飛凌宣布，其位於馬來西亞的新廠一期建設正式啟動運營。建設完成後，該廠將成為全球最大且最具競爭力的 8 吋碳化矽 （SiC） 功率半導體晶圓廠。這座高效率的 8 吋碳化矽 (SiC) 功率半導體晶圓廠將進一步強化英飛凌作為全球功率半導體領導者的地位。新廠一期建設的投資額為20億歐元，將專注於碳化矽功率半導體的生產，並涵蓋氮化鎵 （GaN） 的磊晶製程。

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三星進軍下一代功率半導體，開啟氮化鎵市場
作者 |發布日期 2024 年 07 月 30 日 7:30 |
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分類 Samsung , 半導體 , 會員專區

2024 年三星電子（Samsung）持續增加半導體（Device Solutions，DS）部門旗下功率半導體研發資源，由於生成式人工智慧（Artificial Intelligence Generated Content，AIGC）發展，連帶使伺服器（Server）功耗迅速提升，功率半導體需求擴大，加上電動車和個人電腦等需求增加，2023 年成立化合物半導體解決方案（Compound Semiconductor Solutions，CSS）團隊，致力功率半導體，擴大功率半導體產能。 繼續閱讀..

足以承受金星近 500℃ 高溫，氮化鎵電子設備增強太空探索能力
作者 |發布日期 2024 年 07 月 02 日 17:09 |
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分類 尖端科技 , 材料

由於失控溫室效應，金星表面溫度可攀升至接近 500℃，這也成為人類至今無法發送金星車原因之一，當前矽基電子設備無法在如此極端溫度下長時間運作。為了探索金星地表，研究人員正轉向投靠氮化鎵，這是一種可承受 500℃ 或更高溫度的獨特材料。 繼續閱讀..