Tag Archives: 氮化鎵

漢磊世界先進合作 8 吋碳化矽晶圓，拚 2026 下半年量產

作者中央社|發布日期 2024 年 09 月 11 日 18:15 |

分類半導體 , 晶圓 , 材料、設備

晶圓代工廠漢磊董事長徐建華今天表示，與世界先進合作的 8 吋碳化矽（SiC）晶圓製造，目標 2026 下半年開始量產，初期鎖定工控與消費用產品，他預期一兩年後，8 吋碳化矽晶圓成本和價格可與 6 吋晶圓競爭。繼續閱讀..

英飛凌於馬來西亞啟用全球最大，最具效率碳化矽功率半導體晶圓廠

作者 Atkinson|發布日期 2024 年 08 月 09 日 8:30 |

分類半導體 , 國際觀察 , 晶圓

歐洲半導體大廠英飛凌宣布，其位於馬來西亞的新廠一期建設正式啟動運營。建設完成後，該廠將成為全球最大且最具競爭力的 8 吋碳化矽（SiC）功率半導體晶圓廠。這座高效率的 8 吋碳化矽 (SiC) 功率半導體晶圓廠將進一步強化英飛凌作為全球功率半導體領導者的地位。新廠一期建設的投資額為20億歐元，將專注於碳化矽功率半導體的生產，並涵蓋氮化鎵（GaN）的磊晶製程。

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三星進軍下一代功率半導體，開啟氮化鎵市場

作者拓墣產研|發布日期 2024 年 07 月 30 日 7:30 |

分類 Samsung , 半導體 , 會員專區

2024 年三星電子（Samsung）持續增加半導體（Device Solutions，DS）部門旗下功率半導體研發資源，由於生成式人工智慧（Artificial Intelligence Generated Content，AIGC）發展，連帶使伺服器（Server）功耗迅速提升，功率半導體需求擴大，加上電動車和個人電腦等需求增加，2023 年成立化合物半導體解決方案（Compound Semiconductor Solutions，CSS）團隊，致力功率半導體，擴大功率半導體產能。繼續閱讀..

足以承受金星近 500℃ 高溫，氮化鎵電子設備增強太空探索能力

作者 Emma stein|發布日期 2024 年 07 月 02 日 17:09 |

分類尖端科技 , 材料

由於失控溫室效應，金星表面溫度可攀升至接近 500℃，這也成為人類至今無法發送金星車原因之一，當前矽基電子設備無法在如此極端溫度下長時間運作。為了探索金星地表，研究人員正轉向投靠氮化鎵，這是一種可承受 500℃ 或更高溫度的獨特材料。繼續閱讀..

第三類半導體布局湊效，挹注台亞半導體下半年營收

作者 Daisy Chuang|發布日期 2024 年 05 月 28 日 15:30 |

分類光電科技 , 半導體

消費性市場好轉，感測元件大廠台亞半導體看今年展望，新任總經理蔡育軒今（28）董事會後表示，產能利用率回升到 7~8 成，對下半年營收成長有助益。同時今年下半年第三代半導體元件也將出貨，台亞生產的 6 吋 GaN 產品預計今年第二季開始小量出貨 600 片，在年底產能可達 3000~4000 片。

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功率半導體好日子來了，三星看好資料中心市場積極投資

作者 Atkinson|發布日期 2024 年 04 月 24 日 10:00 |

分類 AI 人工智慧 , IC 設計 , Samsung

韓國媒體報導，三星電子今年一直增加半導體（DS）部門旗下功率半導體研發人員，因伺服器半導體市場的生成式人工智慧（AI）熱潮，伺服器功耗迅速增加，對功率半導體的需求也不斷增加，加上對電動車和個人電腦等需求，三星持續增加研發人員，並考慮追加投資，以擴大功率半導體產能。

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台亞宣布分割 8 吋 GaN 事業群，旗下「亞家軍」擬推 IPO 計畫

作者林妤柔|發布日期 2024 年 04 月 11 日 17:02 |

分類光電科技 , 公司治理 , 財經

感測半導體元件大廠台亞半導體今（11 日）召開重訊，決議將 8 吋 GaN 事業群相關營業包含資產與營業額，分割給台亞持股 100% 的子公司冠亞半導體承受。繼續閱讀..

德州儀器計劃大規模將 GaN 晶片生產由 6 吋轉換成 8 吋

作者 Atkinson|發布日期 2024 年 03 月 22 日 8:00 |

分類半導體 , 晶圓 , 晶片

根據韓國媒體 THE ELEC 的報導，類比晶片大廠德州儀器 (TI) 的一位高層表示，該公司正在將其多個晶圓廠生產的 6 吋氮化鎵 (GaN) 晶片，轉移到 8 吋晶圓廠來生產。

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Renesas 收購 Transphorm，加速推動氮化鎵裝車計畫

作者 TrendForce 集邦科技|發布日期 2024 年 01 月 26 日 7:20 |

分類技術分析 , 會員專區 , 材料、設備

2024 年 1 月 11 日瑞薩電子（Renesas Electronics Corporation）宣布與美國氮化鎵廠 Transphorm 達成最終收購協議。Renesas 將以每股 5.1 美元現金收購美國氮化鎵功率半導體廠 Transphorm 已發行的所有普通股。

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imec 展示高效能矽基氮化鎵，鎖定 5G 基地台及行動裝置應用

作者 Atkinson|發布日期 2023 年 12 月 15 日 7:10 |

分類 IC 設計 , 半導體 , 晶圓

本週舉行的 2023 年 IEEE 國際電子元件會議（IEDM），比利時微電子研究中心（imec）發表 8 吋矽晶圓製造的氮化鋁（AlN）氮化鎵（GaN）金屬──絕緣體──半導體（MIS）高電子遷移率電晶體（HEMT），能在 28GHz 操作頻率下展現高輸出功率及能源效率。

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美國政府資金援助格羅方德，以生產新氮化鎵晶片

作者 Atkinson|發布日期 2023 年 11 月 01 日 7:45 |

分類半導體 , 晶圓 , 晶片

晶圓代工廠格羅方德 (GlobalFoundries) 從美國政府獲 3,500 萬美元 (約新台幣 11.2 億元) 聯邦補助，加速佛蒙特州 Essex Junction 晶圓廠生產第三類半導體氮化鎵（GaN）。

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AI 時代的資料中心成吃電巨獸，氮化鎵會是能效救星嗎？

作者 TN Choice|發布日期 2023 年 10 月 16 日 7:40 |

分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 晶片

數位經濟正經歷一場由兩大趨勢驅動的巨大變革，即時資料分析的龐大需求為其一，另一則是生成式人工智慧 (Generative AI) 的快速發展。一場激烈的生成式 AI 競賽正如火如荼的進行中，科技巨頭如亞馬遜 (Amazon)、谷歌 (Google)、微軟 (Microsoft) 皆大舉投資生成式 AI 的研發創新。根據彭博智庫 (Bloomberg Intelligence) 預測，生成式 AI 市場將以 42% 的年增率成長，從 2022 年 400 億美元市值，於 10 年內擴大至 1.3 兆美元。繼續閱讀..