工研院攜手英商牛津儀器，期望建構台灣第三代半導體產業鏈 |
作者
Atkinson|發布日期
2021 年 09 月 27 日 13:15 |
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瞄準第三代半導體市場，工研院攜手英商牛津儀器簽署研究計劃共同合作，希望鏈結雙方研發能量，成功建構台灣化合物半導體產業鏈發展，搶攻全球市場。
德儀攜手台達搶攻第三代半導體市場，為資料中心提供電源解決方案 |
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作者
Atkinson|發布日期
2021 年 09 月 23 日 16:20 |
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德州儀器今日宣布氮化鎵（GaN）技術和 C2000 即時微控制器（MCU），輔以台達長期耕耘之電力電子核心技術，將為資料中心開發設計高效、高功率的企業用伺服器電源供應器（PSU）。藉由與採用傳統架構的企業伺服器電源供應器相較，台達研發的伺服器電源供應器功率密度可提高 80%，效率提升 1%。根據能源與氣候政策公司能源創新（Energy Innovation）的估計，效率每改善 1%，等於每座資料中心可節省 1 百萬瓦（或 800 戶家庭用電）的總系統成本。
拓墣觀點》英諾賽科於第三代半導體快充峰會展示全新 GaN 晶片 |
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作者
拓墣產研|發布日期
2021 年 08 月 20 日 7:30 |
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以往透過降低能耗、提高電池容量增加設備續航力的效果有限，採用氮化鎵（GaN）晶片快速充電器有望成為改善續航力的主流解決方案，GaN 晶片需求亦持續攀升。7 月 30 日「全球第三代半導體快充產業峰會」於深圳舉辦，中國 GaN 大廠英諾賽科亦發表 4 款快速充電用的 GaN 晶片，分別是 INN650D150A、INN650DA150A、INN650D260A 與 INN650DA260A，4 款晶片耐壓皆可達 650V，封裝大小以 DFN 8×8 與 DFN 5×6 為主。 繼續閱讀..
