Tag Archives: 氮化鎵

OBC 及轉換器成為最佳突破點!台廠成為帶動車用 GaN 產能關鍵推手

作者 |發布日期 2023 年 03 月 17 日 10:43 | 分類 晶圓 , 晶片 , 會員專區

近年火紅的第三類、「寬能隙」(WBG)半導體,擁有比第一、第二類「低能隙」半導體更耐高溫、高壓及高頻的特性,因而更能滿足 5G 通訊、純電動車(BEV)、油電混合車(HEV)、消費性充電頭及資料中心等高功率、高電能轉換效率、低能耗、高速運算及高速充電等新興應用的需求。 繼續閱讀..

電動車及再生能源產業積極導入,2023 年 SiC 功率元件市場產值估將突破 22 億美元

作者 |發布日期 2023 年 03 月 09 日 14:30 | 分類 半導體 , 能源科技 , 電動車

第三類半導體包括碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN),整體產值又以 SiC 占 80% 為重。SiC 適合高壓、大電流的應用場景,能進一步提升電動車與再生能源設備系統效率。據 TrendForce 研究統計,隨著安森美(onsemi)、英飛凌(Infineon)等與汽車、能源業者合作案明朗化,將推動 2023 年整體 SiC 功率元件市場產值將達 22.8 億美元,年成長 41.4%。 繼續閱讀..

特斯拉減用碳化矽,英飛凌還有氮化鎵!收購 GaN Systems 強化布局

作者 |發布日期 2023 年 03 月 03 日 10:49 | 分類 半導體 , 晶片 , 會員專區

特斯拉前腳才宣布減用價格昂貴的碳化矽(SiC),改採無稀土永磁馬達,讓積極布局碳化矽的半導體廠英飛凌股價跟著受挫,然而,英飛凌不只在碳化矽積極布局,2 日宣布併購氮化鎵(Gan)功率半導體廠商 GaN Systems,強化在氮化鎵布局。 繼續閱讀..

材料缺點成突破口!英新創 Porotech 翻轉氮化鎵特性,克服 Micro LED 單色瓶頸

作者 |發布日期 2022 年 08 月 19 日 8:30 | 分類 光電科技 , 會員專區 , 材料、設備

近年 Micro LED 技術不斷突破,加上元宇宙、車用領域帶動次世代顯示技術的需求,商用化這一目標彷彿近在咫尺。其中,紅光 Micro LED 晶片一直是技術瓶頸,但英國 Micro LED 公司卻將材料的劣勢化為優勢,甚至有效縮短製程、降低成本,這到底怎麼做到?《科技新報》特地專訪 Porotech 執行長兼創辦人朱彤彤,來了解該公司的技術獨到之處。 繼續閱讀..

第三類半導體市場動起來,安森美 6 吋廠出售將改為 GaN 代工廠

作者 |發布日期 2022 年 02 月 15 日 10:20 | 分類 IC 設計 , 公司治理 , 國際觀察

根據荷蘭媒體《Bits & Chips》在於當地時間 2 月 10 日的報導指出,安森美半導體(OnSemi)位於比利時 Oudenaarde 的晶圓廠已被 Belgan Group 收購。而在完成收購之後,Belgan Group 預計將原本的 6 吋晶圓廠改造成 6 吋和 8 吋的氮化鎵 (GaN) 代工廠,布局第三類半導體市場,目標為包括汽車、型動、工業和可再生能源等的市場。

繼續閱讀..

台積電代工,Navitas 氮化鎵晶片讓電動車充電時間僅剩三分之一

作者 |發布日期 2022 年 02 月 09 日 10:20 | 分類 晶圓 , 晶片 , 會員專區

第三類半導體因耐高壓、耐高溫特性,最常見就是用在設備充電,未來也預期會有更多樣化用途。委托晶圓代工龍頭台積電生產、超快速手機充電器製造公司 Navitas Semiconductor 表示,電動車將是下個大賭注,如果 Navitas 能藉自家技術,可讓電動車充電時間剩三分之一,或電動車續航里程增近 30%,或電池尺寸減少 30%。Navitas 預計 2025 年產品商品化。

繼續閱讀..