近年火紅的第三類、「寬能隙」(WBG)半導體,擁有比第一、第二類「低能隙」半導體更耐高溫、高壓及高頻的特性,因而更能滿足 5G 通訊、純電動車(BEV)、油電混合車(HEV)、消費性充電頭及資料中心等高功率、高電能轉換效率、低能耗、高速運算及高速充電等新興應用的需求。 繼續閱讀..
Tag Archives: 氮化鎵
電動車及再生能源產業積極導入,2023 年 SiC 功率元件市場產值估將突破 22 億美元 |
| 作者 TechNews|發布日期 2023 年 03 月 09 日 14:30 | 分類 半導體 , 能源科技 , 電動車 |
第三類半導體包括碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN),
品勛科技×是德科技「氮化鎵元件研討會」,解析第三代半導體 GaN 創新技術與應用 |
| 作者 TechNews|發布日期 2022 年 09 月 23 日 14:54 | 分類 半導體 , 晶片 |
品勛科技與是德科技將於 10/20 舉辦「確保寬能隙半導體 GaN 氮化鎵元件的穩定及可用性並加速其商業化技術研討會」,特邀講師包含國立陽明交通大學吳添立教授及宏汭精測林明正總經理。 繼續閱讀..
台達子公司碇基推第三代半導體技術,簽訂 4.56 億增資合約 |
| 作者 Daisy Chuang|發布日期 2022 年 09 月 14 日 16:16 | 分類 半導體 , 會員專區 |
台達子公司碇基半導體,專注於第三代半導體氮化鎵(GaN)技術用於開發功率半導體,今(14)日宣布已完成新一輪 4.56 億新台幣的增資合約簽訂。
環球晶衝刺化合物半導體,徐秀蘭:明年產能倍增 |
| 作者 中央社|發布日期 2021 年 12 月 22 日 14:40 | 分類 晶圓 , 零組件 |
半導體矽晶圓廠環球晶積極衝刺化合物半導體碳化矽(SiC)及氮化鎵(GaN)領域,董事長徐秀蘭表示,明年化合物半導體產能將同步倍增。




