三星投入 2,000 億韓圜用 8 吋晶圓生產第三類半導體

消息人士表示，分析支出金額，三星已有技術製造某些晶片原型，SiC 和 GaN 常用於最新電源管理零件，SiC 因耐用性受汽車產業高度青睞，GaN 則因具承受高頻快速開關，無線通訊更常應用，比矽基半導體產品更受高階應用青睞。

三星 2023 年初成立功率半導體工作小組，為製造 SiC 和 GaN 半導體的第一步。小組除了三星半導體員工，LED 團隊和三星高級技術學院 (SAIT) 也有參與。三星規劃用 8 吋晶圓製造 GaN 和 SiC 半導體，直接跳過多數功率半導體商用 6 吋晶圓切入階段。

Micro LED 也會用 8 吋晶圓生產，代表三星高級技術學院使三星 Micro LED 生產擁有 GaN 相關技術。

三星用 8 吋晶圓生產 SiC 和 GaN 產品令人矚目，因 SiC 仍以 4 / 6 吋晶圓生產為多，GaN 生產則 8 吋晶圓逐漸成主流。三星發言人表示，SiC 半導體業務處於「研究階段」，尚未做任何決定。

(首圖來源：三星)