Tag Archives: 氮化鎵

比利時氮化鎵製造商 BelGaN 破產，中國也來競標晶圓生產設備
作者 |發布日期 2025 年 01 月 22 日 11:45 |
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分類 中國觀察 , 半導體 , 材料、設備

根據比利時布魯塞爾時報的報導，中國公司競標氮化鎵製造商 BelGaN 晶片製造設備。 BelGaN 日前宣布破產，中國廠商參與收購 BelGaN 晶圓廠的計畫未能實現，所以改加入晶片製造設備，預計最後競標拍賣金額將會超過 2,300 萬歐元 (約新台幣 7.9 億元)。

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英飛凌於馬來西亞啟用全球最大，最具效率碳化矽功率半導體晶圓廠
作者 |發布日期 2024 年 08 月 09 日 8:30 |
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分類 半導體 , 國際觀察 , 晶圓

歐洲半導體大廠英飛凌宣布，其位於馬來西亞的新廠一期建設正式啟動運營。建設完成後，該廠將成為全球最大且最具競爭力的 8 吋碳化矽 （SiC） 功率半導體晶圓廠。這座高效率的 8 吋碳化矽 (SiC) 功率半導體晶圓廠將進一步強化英飛凌作為全球功率半導體領導者的地位。新廠一期建設的投資額為20億歐元，將專注於碳化矽功率半導體的生產，並涵蓋氮化鎵 （GaN） 的磊晶製程。

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三星進軍下一代功率半導體，開啟氮化鎵市場
作者 |發布日期 2024 年 07 月 30 日 7:30 |
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分類 Samsung , 半導體 , 會員專區

2024 年三星電子（Samsung）持續增加半導體（Device Solutions，DS）部門旗下功率半導體研發資源，由於生成式人工智慧（Artificial Intelligence Generated Content，AIGC）發展，連帶使伺服器（Server）功耗迅速提升，功率半導體需求擴大，加上電動車和個人電腦等需求增加，2023 年成立化合物半導體解決方案（Compound Semiconductor Solutions，CSS）團隊，致力功率半導體，擴大功率半導體產能。 繼續閱讀..

足以承受金星近 500℃ 高溫，氮化鎵電子設備增強太空探索能力
作者 |發布日期 2024 年 07 月 02 日 17:09 |
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分類 尖端科技 , 材料

由於失控溫室效應，金星表面溫度可攀升至接近 500℃，這也成為人類至今無法發送金星車原因之一，當前矽基電子設備無法在如此極端溫度下長時間運作。為了探索金星地表，研究人員正轉向投靠氮化鎵，這是一種可承受 500℃ 或更高溫度的獨特材料。 繼續閱讀..

第三類半導體布局湊效，挹注台亞半導體下半年營收
作者 |發布日期 2024 年 05 月 28 日 15:30 |
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分類 光電科技 , 半導體

消費性市場好轉，感測元件大廠台亞半導體看今年展望，新任總經理蔡育軒今（28）董事會後表示，產能利用率回升到 7~8 成，對下半年營收成長有助益。同時今年下半年第三代半導體元件也將出貨，台亞生產的 6 吋 GaN 產品預計今年第二季開始小量出貨 600 片，在年底產能可達 3000~4000 片。

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功率半導體好日子來了，三星看好資料中心市場積極投資
作者 |發布日期 2024 年 04 月 24 日 10:00 |
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分類 AI 人工智慧 , IC 設計 , Samsung

韓國媒體報導，三星電子今年一直增加半導體（DS）部門旗下功率半導體研發人員，因伺服器半導體市場的生成式人工智慧（AI）熱潮，伺服器功耗迅速增加，對功率半導體的需求也不斷增加，加上對電動車和個人電腦等需求，三星持續增加研發人員，並考慮追加投資，以擴大功率半導體產能。

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imec 展示高效能矽基氮化鎵，鎖定 5G 基地台及行動裝置應用
作者 |發布日期 2023 年 12 月 15 日 7:10 |
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分類 IC 設計 , 半導體 , 晶圓

本週舉行的 2023 年 IEEE 國際電子元件會議（IEDM），比利時微電子研究中心（imec）發表 8 吋矽晶圓製造的氮化鋁（AlN）氮化鎵（GaN）金屬──絕緣體──半導體（MIS）高電子遷移率電晶體（HEMT），能在 28GHz 操作頻率下展現高輸出功率及能源效率。

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