Tag Archives: 氮化鎵

材料缺點成突破口!英新創 Porotech 翻轉氮化鎵特性,克服 Micro LED 單色瓶頸

作者 |發布日期 2022 年 08 月 19 日 8:30 | 分類 光電科技 , 材料、設備

近年 Micro LED 技術不斷突破,加上元宇宙、車用領域帶動次世代顯示技術的需求,商用化這一目標彷彿近在咫尺。其中,紅光 Micro LED 晶片一直是技術瓶頸,但英國 Micro LED 公司卻將材料的劣勢化為優勢,甚至有效縮短製程、降低成本,這到底怎麼做到?《科技新報》特地專訪 Porotech 執行長兼創辦人朱彤彤,來了解該公司的技術獨到之處。 繼續閱讀..

第三類半導體市場動起來,安森美 6 吋廠出售將改為 GaN 代工廠

作者 |發布日期 2022 年 02 月 15 日 10:20 | 分類 IC 設計 , 公司治理 , 國際觀察

根據荷蘭媒體《Bits & Chips》在於當地時間 2 月 10 日的報導指出,安森美半導體(OnSemi)位於比利時 Oudenaarde 的晶圓廠已被 Belgan Group 收購。而在完成收購之後,Belgan Group 預計將原本的 6 吋晶圓廠改造成 6 吋和 8 吋的氮化鎵 (GaN) 代工廠,布局第三類半導體市場,目標為包括汽車、型動、工業和可再生能源等的市場。

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台積電代工,Navitas 氮化鎵晶片讓電動車充電時間僅剩三分之一

作者 |發布日期 2022 年 02 月 09 日 10:20 | 分類 晶圓 , 晶片 , 材料、設備

第三類半導體因耐高壓、耐高溫特性,最常見就是用在設備充電,未來也預期會有更多樣化用途。委托晶圓代工龍頭台積電生產、超快速手機充電器製造公司 Navitas Semiconductor 表示,電動車將是下個大賭注,如果 Navitas 能藉自家技術,可讓電動車充電時間剩三分之一,或電動車續航里程增近 30%,或電池尺寸減少 30%。Navitas 預計 2025 年產品商品化。

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英特爾 IEDM 2021 發表多項先進技術,推動摩爾定律超越 2025 年

作者 |發布日期 2021 年 12 月 13 日 15:15 | 分類 封裝測試 , 晶圓 , 晶片

不斷追尋摩爾定律的道路,英特爾 (Intel) 揭曉關鍵封裝、電晶體和量子物理等根本性突破,推進和加速運算進入下個十年。日前舉行的 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM)2021,英特爾概要論述採用混合鍵合(hybrid bonding)技術,封裝提升超過 10 倍互連密度、電晶體微縮達成 30%~50% 面積改善、新電源和新記憶體技術重大突破,以及未來某個時刻將徹底顛覆運算的新物理概念。

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