Tag Archives: 氮化鎵

功率暨化合物半導體晶圓廠產能 2023 年登頂,將創每月千萬片新高

作者 |發布日期 2021 年 10 月 13 日 11:40 | 分類 國際貿易 , 晶圓 , 晶片

全世界關注功率暨化合物半導體 (第三代半導體) 發展情形時,SEMI 國際半導體產業協會 13 日表示,全球疫情蔓延下,半導體供應鏈一度受影響,疫後汽車電子產品不斷提升的需求即將復甦。全球功率暨化合物半導體元件晶圓廠產能 2023 年可望首次攀至千萬片晶圓大關,達 1,024 萬 WPM(月產能,8 吋晶圓),並於 2024 年持續增長至 1,060 萬 WPM。

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德儀攜手台達搶攻第三代半導體市場,為資料中心提供電源解決方案

作者 |發布日期 2021 年 09 月 23 日 16:20 | 分類 伺服器 , 晶片 , 電力儲存

德州儀器今日宣布氮化鎵(GaN)技術和 C2000 即時微控制器(MCU),輔以台達長期耕耘之電力電子核心技術,將為資料中心開發設計高效、高功率的企業用伺服器電源供應器(PSU)。藉由與採用傳統架構的企業伺服器電源供應器相較,台達研發的伺服器電源供應器功率密度可提高 80%,效率提升 1%。根據能源與氣候政策公司能源創新(Energy Innovation)的估計,效率每改善 1%,等於每座資料中心可節省 1 百萬瓦(或 800 戶家庭用電)的總系統成本。

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中國砸 10 兆人民幣發展第三代半導體,台灣競爭有壓力也有利基

作者 |發布日期 2021 年 09 月 23 日 9:30 | 分類 IC 設計 , 中國觀察 , 國際觀察

近幾年,在美中關係緊張,貿易衝突增溫的情況下,中國受到美國在技術上的限制,於第一、二代半導體的發發展上遭遇瓶頸,這也成為中國半導體產業發展上永遠的痛。不過,隨著電動車市場與產品快速的發展,以氮化鎵 (GaN) 與碳化矽 (SiC) 為主要元素的第三代半導體的需求跟著大幅提升,甚至成為未來半導體產業發展的主流之一。

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邁向台灣下一個護國神山,第三代半導體概念股發光

作者 |發布日期 2021 年 09 月 22 日 9:30 | 分類 晶圓 , 晶片 , 材料、設備

隨著 5G 、電動車的發展,中國十四五規畫投入 10 兆人民幣發展「第三代半導體」,而台廠也挾帶著半導體產業鏈優勢,引領相關概念股脫穎而出,鴻海董事長劉揚偉更是高喊要打造第三代半導體成為台灣下一個護國神山,連台積電都看好未來十年前景大開,顯見背後龐大的市場商機。

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搞懂第三代半導體與前兩代的差異關鍵,不同世代半導體的消長與共存

作者 |發布日期 2021 年 09 月 22 日 9:15 | 分類 IC 設計 , 封裝測試 , 晶圓

隨著全球進入 IoT、5G、綠能、電動車時代,能徹底展現耐高壓、高溫、高頻能耐,並滿足當前主流應用對高能源轉換效率要求的寬能隙(Wide Band Gap,WBG)半導體開始成為市場寵兒,半導體材料於焉揭開第三代半導體新紀元的序幕。  繼續閱讀..

新能源車需求助攻,至 2025 年氮化鎵功率元件年 CAGR 達 78%

作者 |發布日期 2021 年 09 月 03 日 14:29 | 分類 晶圓 , 晶片 , 材料、設備

TrendForce 表示,2021 年各國 5G 通訊、 消費性電子、工業能源轉換及新能源車等需求拉升,驅使基地台、能源轉換器(Converter)及充電樁等應用需求大增,第三代半導體氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)元件及模組需求強勁。氮化鎵功率元件成長幅度最高,預估今年營收將達 8,300 萬美元,年增率高達 73%。 繼續閱讀..

拓墣觀點》英諾賽科於第三代半導體快充峰會展示全新 GaN 晶片

作者 |發布日期 2021 年 08 月 20 日 7:30 | 分類 IC 設計 , 晶片 , 會員專區

以往透過降低能耗、提高電池容量增加設備續航力的效果有限,採用氮化鎵(GaN)晶片快速充電器有望成為改善續航力的主流解決方案,GaN 晶片需求亦持續攀升。7 月 30 日「全球第三代半導體快充產業峰會」於深圳舉辦,中國 GaN 大廠英諾賽科亦發表 4 款快速充電用的 GaN 晶片,分別是 INN650D150A、INN650DA150A、INN650D260A 與 INN650DA260A,4 款晶片耐壓皆可達 650V,封裝大小以 DFN 8×8 與 DFN 5×6 為主。 繼續閱讀..

氮化鎵走入 5G 多晶片模組,恩智浦強化電信基礎設施效能

作者 |發布日期 2021 年 07 月 07 日 14:32 | 分類 5G , 晶片 , 科技生活

為縮小 5G 基地台射頻單元尺寸、減輕重量,並提升效能,恩智浦半導體(NXP)7 日宣布將整合氮化鎵(GaN)技術至旗下多晶片模組平台;而應用於 5G 基礎設施的恩智浦多晶片模組中的氮化鎵效能可將效率提高 8%,實現高效能網路。

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卡位第三代半導體,台廠看好成本降後商機起飛

作者 |發布日期 2021 年 05 月 24 日 10:40 | 分類 晶圓 , 晶片 , 材料、設備

據資策會 MIC 預估,台灣半導體產業今年仍可望有逾 11% 年成長表現,整體需求相當暢旺,在下一世代第三代半導體的部分,國內業者研發、擴產或量產規模放大仍加快腳步,看好 5G、電動車等需求長期支撐下,第三代半導體材料如氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)在成本優化、價格大幅降低下,憑藉著材料優勢,商機起飛。 繼續閱讀..