Tag Archives: 氮化鎵

imec 展示高效能矽基氮化鎵,鎖定 5G 基地台及行動裝置應用

作者 |發布日期 2023 年 12 月 15 日 7:10 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 晶圓

本週舉行的 2023 年 IEEE 國際電子元件會議(IEDM),比利時微電子研究中心(imec)發表 8 吋矽晶圓製造的氮化鋁(AlN)氮化鎵(GaN)金屬──絕緣體──半導體(MIS)高電子遷移率電晶體(HEMT),能在 28GHz 操作頻率下展現高輸出功率及能源效率。

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AI 時代的資料中心成吃電巨獸,氮化鎵會是能效救星嗎?

作者 |發布日期 2023 年 10 月 16 日 7:40 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 晶片

數位經濟正經歷一場由兩大趨勢驅動的巨大變革,即時資料分析的龐大需求為其一,另一則是生成式人工智慧 (Generative AI) 的快速發展。一場激烈的生成式 AI 競賽正如火如荼的進行中,科技巨頭如亞馬遜 (Amazon)、谷歌 (Google)、微軟 (Microsoft) 皆大舉投資生成式 AI 的研發創新。根據彭博智庫 (Bloomberg Intelligence) 預測,生成式 AI 市場將以 42% 的年增率成長,從 2022 年 400 億美元市值,於 10 年內擴大至 1.3 兆美元。 繼續閱讀..

全訊前 8 月營收年增 21.76%!國防標案能見度看到 2024 年

作者 |發布日期 2023 年 09 月 05 日 16:46 | 分類 材料 , 財報 , 財經

全訊科技今日舉辦法說會,並公布 8 月營收 1 億元,年增 5.81%;累計前 8 月營收為 7.69 億元,年增 21.76%,主要受惠政府擴大國防採購支出挹注,展望下半年全訊二廠將啟動量產,目前國防標案產品訂單能見度已看到 2024 年底,隨著標案出貨進度推進,整體營運可望持續攀高。

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整合 SiC / GaN 最強技術與資源!打造無與倫比的第三類半導體產業鏈

作者 |發布日期 2023 年 03 月 28 日 10:04 | 分類 IC 設計 , 光電科技 , 半導體

由科技新報主辦、TrendForce 協辦的「產能再提升,第三類半導體前景無限」研討會於 3 月 24 日(五)於台大醫院國際會議中心舉行。會中邀請來自產官學研等領域的第三類半導體專家,共同探討這類熱門材料在低損耗、耐高溫、高壓、高頻及高功率元件的實際生產現況,以及在 5G 通訊、電動車、資料中心、3C 快充及 AI 等領域的應用前景。 繼續閱讀..

OBC 及轉換器成為最佳突破點!台廠成為帶動車用 GaN 產能關鍵推手

作者 |發布日期 2023 年 03 月 17 日 10:43 | 分類 晶圓 , 晶片 , 汽車科技

近年火紅的第三類、「寬能隙」(WBG)半導體,擁有比第一、第二類「低能隙」半導體更耐高溫、高壓及高頻的特性,因而更能滿足 5G 通訊、純電動車(BEV)、油電混合車(HEV)、消費性充電頭及資料中心等高功率、高電能轉換效率、低能耗、高速運算及高速充電等新興應用的需求。 繼續閱讀..

電動車及再生能源產業積極導入,2023 年 SiC 功率元件市場產值估將突破 22 億美元

作者 |發布日期 2023 年 03 月 09 日 14:30 | 分類 半導體 , 能源科技 , 電動車

第三類半導體包括碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN),整體產值又以 SiC 占 80% 為重。SiC 適合高壓、大電流的應用場景,能進一步提升電動車與再生能源設備系統效率。據 TrendForce 研究統計,隨著安森美(onsemi)、英飛凌(Infineon)等與汽車、能源業者合作案明朗化,將推動 2023 年整體 SiC 功率元件市場產值將達 22.8 億美元,年成長 41.4%。 繼續閱讀..

特斯拉減用碳化矽,英飛凌還有氮化鎵!收購 GaN Systems 強化布局

作者 |發布日期 2023 年 03 月 03 日 10:49 | 分類 半導體 , 晶片

特斯拉前腳才宣布減用價格昂貴的碳化矽(SiC),改採無稀土永磁馬達,讓積極布局碳化矽的半導體廠英飛凌股價跟著受挫,然而,英飛凌不只在碳化矽積極布局,2 日宣布併購氮化鎵(Gan)功率半導體廠商 GaN Systems,強化在氮化鎵布局。 繼續閱讀..