Tag Archives: 美光

為 NAND 架構鬧翻？英特爾、美光將拆夥研發

作者 MoneyDJ|發布日期 2018 年 01 月 09 日 14:20 |

分類晶片 , 記憶體 , 零組件

英特爾（Intel）和美光（Micron）合作研發 NAND Flash 多年，8 日宣布準備拆夥，將在完成第三代 3D NAND 研發之後，正式分道揚鑣。繼續閱讀..

NAND Flash 需求不退燒，東芝宣布興建第 7 座 NAND Flash 工廠

作者 Atkinson|發布日期 2017 年 12 月 25 日 10:41 |

分類伺服器 , 國際貿易 , 晶片

2017 年是 NAND Flash 快閃記憶體廠商豐收的一年，零售價格的暴漲帶動了廠商的營收，同時還對獲利有了巨大貢獻。所以，當前全球的 4 大 NAND Flash 廠商，包括三星、Intel／美光、東芝、SK 海力士也有了充足的資金來進行新一波的投資。而根據外電的報導，東芝就最新宣布，將拿出 70 億日圓的金額，準備興建第 7 座快閃記憶體工廠（Fab7），地點就在日本的四日市（Yokkaichi）。

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南亞科賣美光股，Q4 可望貢獻上百億獲利

作者中央社|發布日期 2017 年 12 月 25 日 8:15 |

分類記憶體 , 財經

南亞科持續不斷處分美光(Micron)持股，將為第 4 季挹注可觀獲利；南亞科第 4 季來處分美光持股已獲利 3.49 億美元，約新台幣逾 100 億元。

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美光宣布 GDDR6 完成設計與內部認證，預計 2018 年量產

作者 Atkinson|發布日期 2017 年 12 月 22 日 18:00 |

分類會員專區 , 記憶體 , 財經

目前市場顯示卡所建置的記憶體，從 GDDR5 到 GDDR5X 與 HBM2 都已流行一段時間了，最新的 GDDR6 還沒有聽到太多消息。如今，美系記憶體大廠美光（Micron）日前宣布，已完成 12Gbps 和 14Gbps GDDR6 的設計和內部認證。美光曾表示，打算在 2018 年上半年量產 GDDR6，現在可讓這個計畫繼續發展下去了。

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美光強化 DRAM 製造中心，2018 年在台徵才千人

作者中央社|發布日期 2017 年 12 月 21 日 9:00 |

分類人力資源 , 晶片 , 記憶體

美光（Micron）位於台中市的後段生產基地成功投產，未來將持續強化台灣動態隨機存取記憶體（DRAM）製造中心，預計明年在台灣再招募 1,000 名專業人才。繼續閱讀..

三星宣布搶先業界量產第二代 1y 奈米製程 DRAM

作者 Atkinson|發布日期 2017 年 12 月 20 日 16:30 |

分類 Samsung , 會員專區 , 記憶體

南韓科技大廠三星 20 日宣布，已經開始量產第二代的 1y 奈米製程的 DRAM 產品。三星表示，該項 DRAM 產品為 8Gb 的 DDR4 DRAM 第二代產品。相較於上一代產品來說，新的 8Gb DDR4 具有 8Gb DRAM 記憶體中最高的性能和耗能效率，另外還有更小的面積尺寸。

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記憶體廠美光 EPS 財測超標，盤後大漲

作者 MoneyDJ|發布日期 2017 年 12 月 20 日 9:20 |

分類晶片 , 記憶體 , 財經

美國記憶體大廠美光周二盤後公布財報、財測均優於預期，激勵股價盤後一度大漲超過 5%。繼續閱讀..

第四季 DRAM 銷售額預估年增 65%，再寫史上新高

作者 MoneyDJ|發布日期 2017 年 12 月 19 日 11:30 |

分類記憶體 , 零組件

今年記憶體供給吃緊，推升價格持續走揚，研調機構 IC Insights 預期第四季 DRAM 銷售金額將創歷史新高。繼續閱讀..

別怕半導體成長放緩，富國：美光、英特爾、超微前景佳

作者 MoneyDJ|發布日期 2017 年 12 月 19 日 9:50 |

分類晶片 , 零組件

半導體經歷了今年的強健成長之後，明年成長幅度預料將放緩，不過富國銀行（Wells Fargo）認為，不少晶片股後市可期，看好英特爾（Intel）、美光（Micron）、超微（AMD）等。繼續閱讀..

美光推出 128GB 伺服器記憶體模組，單條建議售價 3,999 美元

作者 Atkinson|發布日期 2017 年 12 月 04 日 16:15 |

分類伺服器 , 國際貿易 , 會員專區

記憶體大廠美光（Micron）旗下的記憶體品牌 Crucial 宣布，正式推出目前市場上容量最高、速度最快的伺服器等級專用記憶體模組，每一條記憶體模組容量高達 128GB DDR4-4266 LRDIMM。新的 DDR4 伺服器記憶體具備從 2666 MT/s 起跳的速度，可提升每部伺服器安裝的記憶體容量，以充分運用 CPU 和伺服器硬體效能。不過，這先進的記憶體模組一條要價不菲，建議售價達 3,999 美元（約新台幣 12.08 萬元）。

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行動式記憶體價格高漲，第四季產值成長有望超越第三季的 4.3% 表現

作者 TechNews|發布日期 2017 年 11 月 23 日 14:50 |

分類記憶體 , 零組件

TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查顯示，第三季智慧型手機市場逐漸復甦，開始進入旺季備料階段，對行動記憶體需求增加，帶動價格上揚走勢。整體而言，第三季行動式記憶體市場以縮小區域別的價格差異與微調高容量規格報價為主軸，報價平均漲幅落在 5% 以內，營收較第二季成長 4.3%。單就三大主流供應商而言，以 SK 海力士表現最為亮眼，較前一季成長達 30%。繼續閱讀..

手機及伺服器供需缺口擴大，第三季 NAND Flash 品牌商營收季增 14.3%

作者 TechNews|發布日期 2017 年 11 月 20 日 14:15 |

分類記憶體 , 財經 , 零組件

TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）最新報告指出，受傳統旺季、智慧型手機及伺服器及資料中心對 SSD 需求拉升等因素影響，今年第三季整體 NAND Flash 供需缺口較第二季擴大，但因價格已經歷長時間連續調漲，導致價格已近各 OEM 廠接受上限，各產品線合約價在第三季增幅侷限在 0%~6%。繼續閱讀..

三星 2017 年狂砸台幣 7,800 億元資本支出，為英特爾與台積電總和

作者 Atkinson|發布日期 2017 年 11 月 15 日 11:34 |

分類國際貿易 , 晶片 , 會員專區

隨著市場競爭加劇，半導體競爭從產品、技術，延伸到資本支出。根據市場調查機構 IC Insights 最新調查報告顯示，2017 年全球半導體產業資本支出將達 908 億美元（約新台幣 2.74 兆元），較 2016 年成長 35% 。其中，南韓半導體大廠三星的資本支出翻倍成長，由 2016 年 113 億美元（約新台幣 3,403 億元），成長至 2017 年的 260 億美元（約新台幣 7,834 億元），為英特爾及台積電全年資本支出的總和。

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DRAM 產業第三季營收增 16.2% 創新高，第四季價格平均漲幅 10%

作者 TechNews|發布日期 2017 年 11 月 13 日 14:20 |

分類 Samsung , 記憶體 , 財經

根據 TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMe Xchange）調查顯示，2017 年第三季 DRAM 產業營收表現又再度創下歷史新高，受惠於傳統銷售旺季加上供給端成長有限，各類 DRAM 產品合約價普遍較前一季再上漲約 5%。從市場面觀察，第三季 DRAM 總營收較上季再成長 16.2%，整體產業仍處於供貨吃緊狀態。繼續閱讀..

兆易創新獲中芯國際支援擴產 Nor Flash，短期恐對價格衝擊有限

作者 Atkinson|發布日期 2017 年 11 月 13 日 10:40 |

分類國際貿易 , 手機 , 會員專區

全球編碼型記憶體 Nor Flash 短缺，引來紅色供應鏈覬覦。根據《經濟日報》報導，中國 Nor Flash 生產大廠兆易創新（Gigadevice）搶進 Nor Flash 市場，獲得中國代工龍頭中芯國際（SMIC）支持，將提供兆易創新每月 2.5 萬片，占全球 Nor Flash 約 30% 產能，進一步威脅台灣大廠旺宏與華邦電。不過，根據《科技新報》獨家取得的消息，中芯國際供應兆易創新的產能，僅每月 1 萬片。雖對當前市場供貨有幫助，但對價格的衝擊，短期可能有限。

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