Tag Archives: 美光

費半連兩年勝那斯達克,Barron’s 精選 2015 年半導體三大潛力股

作者 |發布日期 2014 年 12 月 17 日 15:54 | 分類 即時新聞 , 財經

費城半導體指數今年迄今累計上漲 23.6%,大勝 Nasdaq 指數的 8.89%,若沒有意外,費半指數有望連續第二年勝出。其實自 1995 年來,費半指數也僅有 8 次凌駕 Nasdaq 的紀錄,不過展望 2015 年,知名財經媒體霸榮(Barron’s)看好費半指數將再次超前。 繼續閱讀..

力成拿下美光大單赴西安設廠,估 2016 年量產

作者 |發布日期 2014 年 12 月 04 日 11:02 | 分類 晶片 , 財經

記憶體封測廠力成昨(3)日宣布將與 DRAM 廠美光(Micron)深化合作,公司擬於中國西安設立 DRAM 封裝生產線,並承接美光訂單,主要係針對標準型 DRAM 後段封裝。力成初期預計投資 7,000 萬美元之資本額設立子公司,並將視未來發展狀況,陸續增加設備等相關資產投資,總投資額連同原始投資,分 6 年投資將共約 2.1 億美元。 繼續閱讀..

研調:第三季行動式記憶體排名三星市占首度突破 50%

作者 |發布日期 2014 年 11 月 20 日 13:00 | 分類 晶片

TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 最新調查顯示,全球行動式記憶體總營收在第三季達 34.6 億美元,季成長 6%,占 DRAM 總產值 29%。三星半導體不意外仍穩居第三季行動式記憶體龍頭,而且市占首度突破 50%,儼然成為一方霸主,讓位居二、三名的 SK 海力士與美光的市占率再度拉大。雖全球 DRAM 產能依舊處於微幅吃緊狀態,導致第三季行動式記憶體價格小幅度下滑,但因位元產出增加,全球行動式記憶體總產值仍向上提升。 繼續閱讀..

研調:全球 DRAM 第三季產值 120 億美元,季成長達 11%

作者 |發布日期 2014 年 11 月 13 日 9:31 | 分類 晶片

TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 最新研究報告顯示,第三季三大 DRAM 廠積極調配旗下產能以應付蘋果 iPhone 新機龐大行動式記憶體的需求,在排擠效應下,標準型記憶體產出減少,帶動第三季合約價格持續上漲,供貨吃緊下標準型記憶體蟬聯毛利最高的 DRAM 產品。 DRAMeXchange 表示,2014 年第三季 DRAM 產值達 120 億美元,較上季成長 11%,單季營收再度創下新高。  繼續閱讀..

研調:三星大動作宣布增產,寡占結構下「先擴產先贏」的競爭策略仍將持續

作者 |發布日期 2014 年 10 月 06 日 16:50 | 分類 晶片

三星半導體於今天(10/6)宣布位於南韓京畿道平澤的新廠擴建計畫,預計於 2015 年初拓土動工,最快可能在 2017 上半年正式投產,目標將著重於應用處理器與記憶體的生產。TrendForce 旗下記憶儲存事業處 DRAMeXchange 研究協理吳雅婷表示,有鑒於三星智慧型手機採用自家處理器的比例未有明顯增長,若該新廠落成,著重於 DRAM 或 NAND Flash 產品的可能性較為合理。  繼續閱讀..