南韓三星去年 6 月底量產第一代 3 奈米 GAA (SF3E) 製程,是三星首次採用全新 GAA (Gate-All-Around) 架構電晶體技術,打破 FinFET 性能限制,降低工作電壓提高能耗比,增加驅動電流提升晶片性能。外媒報導,三星將介紹第二代 3 奈米製程,效能較第一代 3 奈米製程再最佳化。11 日為台積電技術論壇台北場開始,三星此時宣布頗有較勁意味。
力拚五年內超越台積電!三星宣布二代 3 奈米製程 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2023 年 05 月 10 日 8:00 | 分類 IC 設計 , Samsung , 半導體 |



