南韓記憶體大廠三星分享 V-NAND(即 3D NAND)發展計畫,證實 2024 年將生產超過 300 層的第九代 V-NAND 記憶體,這將是業界最高層數。 繼續閱讀..
與 SK 海力士一較高下!三星證實明年推 300 層以上 V-NAND |
作者 林 妤柔|發布日期 2023 年 10 月 19 日 16:20 | 分類 Samsung , 晶片 , 記憶體 |
NAND Flash 需求不退燒,東芝宣布興建第 7 座 NAND Flash 工廠 |
作者 Atkinson|發布日期 2017 年 12 月 25 日 10:41 | 分類 伺服器 , 國際貿易 , 晶片 | edit |
2017 年是 NAND Flash 快閃記憶體廠商豐收的一年,零售價格的暴漲帶動了廠商的營收,同時還對獲利有了巨大貢獻。所以,當前全球的 4 大 NAND Flash 廠商,包括三星、Intel/美光、東芝、SK 海力士也有了充足的資金來進行新一波的投資。而根據外電的報導,東芝就最新宣布,將拿出 70 億日圓的金額,準備興建第 7 座快閃記憶體工廠(Fab7),地點就在日本的四日市(Yokkaichi)。
韓媒:記憶體微縮 14 奈米為極限、3D NAND 成新寵 |
作者 MoneyDJ|發布日期 2014 年 09 月 17 日 15:30 | 分類 晶片 | edit |
記憶體晶片的微縮製程面臨極限,BusinessKorea 報導,預料 3D 垂直堆疊技術將成兵家必爭之地,三星電子(Samsung Electronics)、SK 海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)等紛紛投入研發。
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