Tag Archives: dram

TechNews 科技早報 – 20160622
作者 |發布日期 2016 年 06 月 22 日 9:34 |
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分類 手機 , 會員專區 , 財經

西安變電站「炸傷」三星工廠 或波及快閃記憶體晶元市場
6 月 18 日，西安長安區變電站起火爆炸，三星位於西安的半導體工廠成為「最受傷」的公司。據韓國《朝鮮日報》報導，西安變電站爆炸引起的停電，讓位於西安的三星半導體工廠流水線意外停產… 繼續閱讀..

韓媒：三星西安部分停工影響 產能缺口有助快閃記憶體價格上揚
作者 |發布日期 2016 年 06 月 21 日 9:48 |
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分類 Samsung , 晶片 , 會員專區

三星電子 19 日表示，由於 18 日凌晨中國西安變電廠爆炸所造成的供電閃斷，造成位於鄰近以生產 NAND 快閃記憶體為主的三星半導體廠生產中斷。不過，僅對不到 1 萬片晶圓生產造成影響，而該廠房將在幾天內全面恢復生產。南韓英文媒體 《The Korea Times》 對此報導指出，因為市場供應出現缺口的情況，有助於 NAND 快閃記憶體價格的上揚，反而有助於三星電子本身與對手 SK 海力士的營收。

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原廠控制產出，2017 年 DRAM 價格止跌回穩露曙光
作者 |發布日期 2016 年 06 月 16 日 15:30 |
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分類 手機 , 晶片 , 電腦

DRAM 產業因長期需求不振，合約價格已歷經連續 19 個月的跌幅趨勢。今年 5 月底 DDR4 合約均價為 1.31 美元，而 DDR3 僅 1.25 美元，各廠都面臨龐大的成本壓力。TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 研究協理吳雅婷表示，第三季個人電腦（PC）將進入出貨高峰、中國品牌智慧型手機出貨持續走揚，再加上新一代 iPhone 4.7”（2GB）及5.5”（3GB）的拉貨動能，將消耗可觀的 DRAM 產能。此外，各家 DRAM 供應商對於製程轉進的態度趨於保守，DRAMeXchange 預估 2017 年後 DRAM 供給位元恐低於 20%，可望成為 DRAM 價格止跌回穩的契機。 繼續閱讀..

美光、華亞科併購案突喊卡，南亞科成最大因素？
作者 |發布日期 2016 年 06 月 13 日 10:35 |
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分類 晶片 , 會員專區 , 零組件

美記憶體大廠美光（Micron）與台灣 DRAM 大廠華亞科購併案在 8 日突然生變，8 日美光宣布無法如期在 7 月中完成與華亞科的購併事宜，當日，美光並未說明無法如期完成交易原因，而今 13 日傳出華亞科已暫停所有與美光的整併作業，並將在今日舉行全員會議，雙方合併恐橫生枝節。 繼續閱讀..