HBM4 已成為記憶體大廠的新戰場,三星正藉由大規模的投資縮小與當前市場龍頭 SK 海力士的差距。ZDNet Korea 報導,三星計劃在韓國華城和平澤擴大 1c DRAM (第六代 10 奈米等級) 製程產線,投資年底啟動。
三星擴大 1c DRAM 產能,力拚 HBM4 超車競爭對手 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2025 年 05 月 23 日 9:45 | 分類 Samsung , 半導體 , 記憶體 |
技術外流風險:SK 海力士再爆員工跳槽華為洩密 |
| 作者 TechNews 編輯台|發布日期 2025 年 05 月 09 日 15:00 | 分類 人力資源 , 半導體 , 記憶體 | edit |
SK 海力士前(SK Hynix)員工因涉嫌將先進封裝技術非法轉移至華為子公司海斯半導體(HiSilicon),而被正式起訴。這些技術概括 3D NAND、高頻寬記憶體(HBM)、多晶片封裝以及 CMOS 影像感測器(CIS) 的關鍵封裝方法,凸顯了技術外流與高科技機密傳遞的風險。 繼續閱讀..
