Tag Archives: HBM

三星晶圓代工結束設備停機，力拚 6 月達最大稼動率
作者 |發布日期 2025 年 02 月 14 日 9:15 |
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分類 Samsung , 半導體 , 晶圓

韓國媒體報導，韓國三星預計最早能在 2025 年 6 月，讓平澤園區的晶圓代工生產線的稼動率提升至最大。因為隨著三星電子系統 LSI 事業部的智慧型手機應用處理器 Exynos 量產，加上中國加密貨幣挖礦機訂單的增加，這使得稼動率開始逐步提升。

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風水輪流轉！韓國當年如何對付日本記憶體，中國長鑫存儲現在就怎麼對付韓國
作者 |發布日期 2025 年 02 月 10 日 15:50 |
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分類 AI 人工智慧 , Samsung , 中國觀察

外媒報導，中國的記憶體晶片廠商長鑫儲存 (CXMT) 以超越韓國競爭對手的速度，迅速搶占全球市場占有率，並與 OpenAI 競爭對手 DeepSeek 聯手，加強中國方面減少對人工智慧 (AI) 等先進領域對外國技術依賴的努力。

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AI 記憶體市場需求強勁推動，SK 海力士 2024 年營收創史上新高紀錄
作者 |發布日期 2025 年 01 月 23 日 8:30 |
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分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

韓國記憶體大廠 SK 海力士發布截至 2024 年 12 月 31 日的第四季及 2024 年財報，2024 年第四季的營收金額為 19.7670 兆韓圜，較第三季增加 12%，營業利益為 8.0828 兆韓圜，較第三季增加 15%，營業利益率為 41%。淨利為 8.0065 兆韓圜，淨利率為 41%。

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修改部分設計，三星第六代 10 奈米級 1c DRAM 延後半年
作者 |發布日期 2025 年 01 月 21 日 13:00 |
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分類 Samsung , 半導體 , 記憶體

韓國媒體 MoneyToday 報導，記憶體大廠三星將第六代 10 奈米級 1c DRAM 製程開發延後六個月到 6 月才完成。三星之前宣稱第六代 10 奈米級 1c DRAM 製程 2024 年底開發完並量產，但良率沒有提升，導致時程再延後半年，這會使預定下半年量產的第六代高頻寬記憶體（HBM4）一併延後。

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三星 HBM 老過不了輝達驗證，可能轉供貨競爭對手博通
作者 |發布日期 2025 年 01 月 15 日 15:40 |
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分類 AI 人工智慧 , Samsung , 公司治理

三星電子高頻寬記憶體（HBM）產品，輝達 (NVIDIA) 執行長黃仁勳曾表示，知道韓國人對此不耐煩，但新設計需要時間，也已取得進展。雖經歷難，但有信心會突破。黃仁勳說法解讀為三星 HBM 需重新設計，考慮到設計、測試和量產耗費的時間，暫時很難通過輝達認證。

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