Tag Archives: Intel 14A

財務狀況吃緊，英特爾延後俄亥俄園區一期晶圓廠落成時間至 2030 年
作者 |發布日期 2025 年 03 月 02 日 10:00 |
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分類 IC 設計 , 公司治理 , 半導體

英特爾日前宣布，對位於俄亥俄州園區的建設時間表進行重大修改。該園區廠原定於 2025 年完工，之後第一階段興建的晶圓廠產線進入新製程的研發與生產階段。然而，在該園區經過這第三次大幅延後時間之後，第一階段晶圓廠完工的時間將將來到 2030 年，量產晶片的時間則是在 2030~2031 年。英特爾強調，其對該園區興建的承諾沒有改變，市場需求允許下加速建設。

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英特爾領先業界啟用 High-NA EUV，至今處理超過 3 萬片晶圓
作者 |發布日期 2025 年 02 月 27 日 10:50 |
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分類 半導體 , 晶圓 , 晶片

路透社報導，處理器大廠英特爾 (Intel) 日前產業會議透露，開始用兩台艾司摩爾（ASML）High-NA Twinscan EXE:5000 EUV 微影曝光機。英特爾工程師 Steve Carson 表示，奧勒岡州 Hillsborough 附近 D1 工廠開始用 ASML 兩台 High-NA EUV，至今處理達 3 萬片晶圓。

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埃米世代三雄拚王座，台積電 A16 力抗英特爾 Intel 14A 與三星 SF1.4
作者 |發布日期 2024 年 04 月 26 日 11:10 |
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分類 半導體 , 晶圓 , 晶片

台積電 25 日清晨年度技術論壇北美場發表埃米級 A16 先進製程，2026 年量產，不僅較競爭對手英特爾 Intel 14A，以及三星 SF14 都是 2027 年量產早，且台積電強調 A16 還不需用到 High-NA EUV，成本更具競爭力，市場樂觀看待台積電進入埃米時代第一戰有豐碩戰果。

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英特爾 IFS 揭露四年節點後發展，導入 High-NA EUV 之 Intel 14A 力拚 2027 年量產
作者 |發布日期 2024 年 02 月 22 日 7:00 |
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分類 IC 設計 , 半導體 , 封裝測試

英特爾發布提供專為 AI 時代設計，而且更具永續性的系統級晶圓代工（Systems Foundry）服務。英特爾晶圓代工（Intel Foundry）宣布延伸製程藍圖，確保在 2025 到 2030 年期間和未來的領先地位。另外，英特爾也強調客戶動能和來自生態系合作夥伴的支持，包括 Arm、Synopsys、Cadence、Siemens 和 Ansys 也宣布，適用於 intel 18A 製程和先進封裝的工具、設計流程和 IP 產品組合已準備就緒，將加速支援英特爾晶圓代工客戶的晶片設計。

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