根據《ET News》報導,SK 海力士正在開發新一代「高頻寬儲存」(High Bandwidth Storage, HBS),透過結合行動 DRAM 與 NAND 快閃記憶體,打造專為行動裝置設計的高效 AI 運算記憶體方案。 繼續閱讀..
DRAM+NAND 整合架構,SK 海力士推出 HBS |
| 作者 蘇 子芸|發布日期 2025 年 11 月 11 日 10:45 | 分類 半導體 , 記憶體 |
技術外流風險:SK 海力士再爆員工跳槽華為洩密 |
| 作者 TechNews 編輯台|發布日期 2025 年 05 月 09 日 15:00 | 分類 人力資源 , 半導體 , 記憶體 | edit |
SK 海力士前(SK Hynix)員工因涉嫌將先進封裝技術非法轉移至華為子公司海斯半導體(HiSilicon),而被正式起訴。這些技術概括 3D NAND、高頻寬記憶體(HBM)、多晶片封裝以及 CMOS 影像感測器(CIS) 的關鍵封裝方法,凸顯了技術外流與高科技機密傳遞的風險。 繼續閱讀..
中國記憶體快要獨立?小米 14 將採長江存儲 232 層 NAND 記憶體 |
| 作者 林 妤柔|發布日期 2023 年 11 月 10 日 13:43 | 分類 Android 手機 , 中國觀察 , 手機 | edit |
為了應對美國半導體出口管制,中國加速半導體自給自足計畫,也逐步獲得更多成果。業界人士 9 日透露,中國製造商小米 10 月發布的小米 14 手機採用長江存儲 NAND 快閃記憶體存儲設備。 繼續閱讀..
