Tag Archives: 三星

中國長鑫存儲量產 12 層堆疊 HBM，與韓系廠商技術落差三年內
作者 |發布日期 2026 年 04 月 09 日 13:15 |
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分類 中國觀察 , 半導體 , 記憶體

根據外媒報導，中國記憶體晶片製造商長鑫存儲（CXMT）已開始大規模生產 12 層高頻寬記憶體（HBM），這代表著中國製造商與韓國領先企業自產業發展初期以來的技術差距正顯著縮小。這項 12 層堆疊技術的里程碑，使長鑫存儲具備了進軍最高階人工智慧（AI）硬體生產領域的能力。

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三星平澤 P5 工廠第一期購買高達 70 套曝光設備，因應 HBM4 市場需求
作者 |發布日期 2026 年 04 月 07 日 14:30 |
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分類 公司治理 , 半導體 , 材料、設備

韓國媒體報導，半導體大廠三星已被確認向 ASML 訂購了約 20 套用於 10 奈米以下先進製程的 EUV 曝光機。若連同訂購的 DUV 曝光機計算在內，此次曝光設備總訂購規模達到約 70 套。對此，三星電子表示至今尚未有相關決策。。

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三星記憶體為晶圓代工創突破口，良率穩定度未來關鍵
作者 |發布日期 2026 年 04 月 06 日 12:15 |
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分類 Samsung , 半導體 , 晶圓

三星（Samsung）繼獲得輝達（NVIDIA）旗下 Groq 3 LPU 代工訂單，又與超微（AMD）展開合作。半導體產業專家表示，記憶體供不應求及台積電先進製程產能滿載，為三星晶圓代工業務開創突破口，不過，製程良率穩定度將是左右三星未來發展關鍵。 繼續閱讀..

全球首檔純記憶體 ETF 掛牌，台灣記憶體廠南亞科與華邦電均入列
作者 |發布日期 2026 年 04 月 02 日 20:00 |
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分類 半導體 , 記憶體 , 證券

隨著人工智慧（AI）技術的規模與複雜性呈現指數級成長，全球 AI 基礎設施的建置正如火如荼地展開。在這波科技浪潮中，致力於創新金融產品的ETF發行商 Roundhill Investments 於 2 日正式宣布，推出全球首檔專注於記憶體板塊的交易所交易基金（ETF）- Roundhill Memory ETF（股票代號：DRAM）。

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1 奈米先進製程時代將至，台積電領先、日韓急追競爭市場商機
作者 |發布日期 2026 年 04 月 02 日 16:45 |
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分類 公司治理 , 半導體 , 晶圓

先世代的晶圓製程1奈米等級製程技術目前正式成為各國國際競爭的核心焦點，而各國在半導體技術的發展上也展現出截然不同的戰略路徑。目前，全球三大主要晶圓代工重鎮—台灣、日本與韓國，正逐漸逼近1奈米製程的生產門檻，這代表著全球半導體產業即將邁入全新戰略方向的歷史性時刻。

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三星預定 2031 年量產 1 奈米，採叉狀片全新結構
作者 |發布日期 2026 年 03 月 31 日 16:00 |
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分類 Samsung , 半導體 , 晶圓

為了在次世代半導體市場中搶佔主導地位，韓國三星的晶圓代工部門近期確立了技術藍圖，宣佈將於 2031 年正式量產 1 奈米的先進製程。這項全新製程技術，不僅是三星縮小與全球代工霸主台積電技術差距的核心戰略，更是其未來吸引全球大型科技公司訂單的關鍵武器。

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全球先進記憶體廠樂了！JEDEC 這項決定將影響 AI 記憶體布局
作者 |發布日期 2026 年 03 月 30 日 16:30 |
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分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

隨著人工智慧（AI）技術的快速發展，對高效能記憶體的需求日益攀升。全球固態技術協會（JEDEC）近期已正式展開討論，計畫放寬全球 HBM 的高度標準限制。這項重大決議預計將 HBM4 的堆疊高度上限放寬至 900 微米（0.09公分），藉此支援針對現代 AI 功能關鍵的 16 層及 20 層 DRAM 堆疊技術發展。此舉不僅將解決現有製程的物理瓶頸，更將深刻影響全球半導體封裝設備商的競爭態勢與記憶體大廠的策略佈局。

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又要彎道超車台積電！三星預定 2028 年量產矽光子元件
作者 |發布日期 2026 年 03 月 30 日 11:45 |
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分類 AI 人工智慧 , Samsung , 光電科技

為了在競爭激烈的全球晶圓代工市場中重奪主導權，韓國三星日前於洛杉磯舉辦的 2026 年光纖通訊展覽會（OFC 2026）上拋出震撼彈，正式宣布將於 2028 年展開矽光子技術的量產計畫。此舉不僅直指當前市場龍頭台積電，更展現了三星期望透過光傳輸系統，一舉解決人工智慧半導體效能瓶頸的強烈企圖心。

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Exynos 2600 經實測峰值功耗達 30W！三星 2 奈米 GAA 效能仍輸台積 3 奈米
作者 |發布日期 2026 年 03 月 28 日 10:13 |
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分類 Samsung , 半導體 , 晶片

Exynos 2600 是三星首款 2 奈米 GAA 製程晶片，照理說應該比舊製程有更高效能和能效，但根據最新基準測試結果，該晶片在 Geekbench 6 運行時峰值功耗達 30W，相當於部分筆電的功耗，且相比之下，Snapdragon 8 Elite Gen 5（採台積 3 奈米）在能效上明顯優於 Exynos 2600，證明台積電的製程仍領先三星。 繼續閱讀..