Tag Archives: SK 海力士

獎金兩樣情！SK 海力士今年平均領 47.7 萬美元「明年直逼百萬」，三星罷工在即
作者 |發布日期 2026 年 04 月 21 日 10:14 |
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分類 公司治理 , 半導體 , 晶片

AI 晶片超級循環正為韓國兩大記憶體製造商帶來驚人利潤。韓媒《中央日報》（Korea JoongAng Daily）指出，SK 海力士員工今年平均可望拿到約 7 億韓圜（約 47.7 萬美元）獎金，明年甚至接近 90 萬美元；相比之下，三星工會則因不滿資方提出的薪酬方案，揚言將於 5 月 21 日至 6 月 7 日全面罷工。 繼續閱讀..

華邦電、南亞科、力積電當心了！中國兆易創新與長鑫存儲合作要搶記憶體 10% 市占
作者 |發布日期 2026 年 04 月 20 日 16:15 |
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分類 半導體 , 記憶體 , 財經

全球記憶體供應鏈正經歷一場重大變革。韓國媒體報導，中國半導體企業兆易創新（Gigadevice）已開始積極拓展其動態隨機存取記憶體（DRAM ）業務，並與長鑫存儲（CXMT）達成價值近 1 兆韓圜的內部供應協議，將其設計工作與製造量能深度連結。

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中國長鑫存儲量產 12 層堆疊 HBM，與韓系廠商技術落差三年內
作者 |發布日期 2026 年 04 月 09 日 13:15 |
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分類 中國觀察 , 半導體 , 記憶體

根據外媒報導，中國記憶體晶片製造商長鑫存儲（CXMT）已開始大規模生產 12 層高頻寬記憶體（HBM），這代表著中國製造商與韓國領先企業自產業發展初期以來的技術差距正顯著縮小。這項 12 層堆疊技術的里程碑，使長鑫存儲具備了進軍最高階人工智慧（AI）硬體生產領域的能力。

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HBM 堆疊逼近極限，Hybrid Bonding 將成記憶體下一步關鍵技術
作者 |發布日期 2026 年 04 月 03 日 17:10 |
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分類 Samsung , 半導體 , 記憶體

根據研調機構 counterpoint 報告，目前主流 HBM 仍採用微凸塊（micro-bump）搭配熱壓鍵合（TCB）進行晶片連接，並已支援 12 至 16 層堆疊。然而，隨著未來 HBM 朝 20 層以上發展，微凸塊在訊號完整性、功耗與散熱表現上的限制逐漸浮現，使產業開始尋求新的解決方案。 繼續閱讀..

全球首檔純記憶體 ETF 掛牌，台灣記憶體廠南亞科與華邦電均入列
作者 |發布日期 2026 年 04 月 02 日 20:00 |
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分類 半導體 , 記憶體 , 證券

隨著人工智慧（AI）技術的規模與複雜性呈現指數級成長，全球 AI 基礎設施的建置正如火如荼地展開。在這波科技浪潮中，致力於創新金融產品的ETF發行商 Roundhill Investments 於 2 日正式宣布，推出全球首檔專注於記憶體板塊的交易所交易基金（ETF）- Roundhill Memory ETF（股票代號：DRAM）。

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