Tag Archives: SK 海力士

中國長鑫存儲量產 12 層堆疊 HBM，與韓系廠商技術落差三年內
作者 |發布日期 2026 年 04 月 09 日 13:15 |
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分類 中國觀察 , 半導體 , 記憶體

根據外媒報導，中國記憶體晶片製造商長鑫存儲（CXMT）已開始大規模生產 12 層高頻寬記憶體（HBM），這代表著中國製造商與韓國領先企業自產業發展初期以來的技術差距正顯著縮小。這項 12 層堆疊技術的里程碑，使長鑫存儲具備了進軍最高階人工智慧（AI）硬體生產領域的能力。

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HBM 堆疊逼近極限，Hybrid Bonding 將成記憶體下一步關鍵技術
作者 |發布日期 2026 年 04 月 03 日 17:10 |
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分類 Samsung , 半導體 , 記憶體

根據研調機構 counterpoint 報告，目前主流 HBM 仍採用微凸塊（micro-bump）搭配熱壓鍵合（TCB）進行晶片連接，並已支援 12 至 16 層堆疊。然而，隨著未來 HBM 朝 20 層以上發展，微凸塊在訊號完整性、功耗與散熱表現上的限制逐漸浮現，使產業開始尋求新的解決方案。 繼續閱讀..

全球首檔純記憶體 ETF 掛牌，台灣記憶體廠南亞科與華邦電均入列
作者 |發布日期 2026 年 04 月 02 日 20:00 |
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分類 半導體 , 記憶體 , 證券

隨著人工智慧（AI）技術的規模與複雜性呈現指數級成長，全球 AI 基礎設施的建置正如火如荼地展開。在這波科技浪潮中，致力於創新金融產品的ETF發行商 Roundhill Investments 於 2 日正式宣布，推出全球首檔專注於記憶體板塊的交易所交易基金（ETF）- Roundhill Memory ETF（股票代號：DRAM）。

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全球先進記憶體廠樂了！JEDEC 這項決定將影響 AI 記憶體布局
作者 |發布日期 2026 年 03 月 30 日 16:30 |
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分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

隨著人工智慧（AI）技術的快速發展，對高效能記憶體的需求日益攀升。全球固態技術協會（JEDEC）近期已正式展開討論，計畫放寬全球 HBM 的高度標準限制。這項重大決議預計將 HBM4 的堆疊高度上限放寬至 900 微米（0.09公分），藉此支援針對現代 AI 功能關鍵的 16 層及 20 層 DRAM 堆疊技術發展。此舉不僅將解決現有製程的物理瓶頸，更將深刻影響全球半導體封裝設備商的競爭態勢與記憶體大廠的策略佈局。

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SK 海力士砸 12 兆韓圜買進 ASML 設備，搶占全球 HBM 供應鏈優勢
作者 |發布日期 2026 年 03 月 24 日 16:45 |
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分類 半導體 , 晶片 , 記憶體

SK 海力士（SK hynix）於 24 日宣布，將從荷蘭的 ASML 購買價值 12 兆韓圜的先進生產設備，此項決定旨在應對日益成長的記憶體晶片需求。根據公告，這些極紫外光（Extreme Ultraviolet，EUV）曝光機（Scanner）將於 2027 年 12 月前接收，用於下一代生產製程。

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韓國半導體雙雄拚英語力，SK 海力士跟進三星推動職場語言升級
作者 |發布日期 2026 年 03 月 23 日 9:50 |
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分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 國際觀察

在全球競爭日益激烈的背景下，韓國半導體巨頭 SK 海力士（SK hynix）計劃推出一項試點計畫，以促進英語使用，特別是在其人工智慧（AI）基礎設施業務部門。根據業界消息，該公司已通知 AI 相關部門的員工在電子郵件中同時使用韓語和英語，以提升其全球競爭力。 繼續閱讀..

台積電扮 SK 海力士殺手鐧！HBM4E 邏輯晶片採 3 奈米性能超越三星
作者 |發布日期 2026 年 03 月 20 日 7:45 |
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分類 IC 設計 , Samsung , 半導體

隨著全球人工智慧（AI）晶片競爭進入白熱化階段，高頻寬記憶體（HBM）的技術推進也迎來了前所未有的重大轉折。消息指出，韓國記憶體大廠 SK 海力士（SK Hynix）目前正積極的評估一項重大戰略，就是在其即將推出的第七代高頻寬記憶體（HBM4E）中，其邏輯晶片（Logic Die）的部分將全面主力採用台積電的 3 奈米製程技術。這項決策不僅象徵著 SK 海力士在尖端製程上的重大押注，更被外界視為是為了在效能上徹底擊敗競爭對手三星電子所祭出的關鍵殺手鐧。

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