SK 海力士衝刺先進製程,20 奈米級 DRAM 最快 7 月量產

作者 | 發布日期 2015 年 03 月 23 日 14:30 | 分類 零組件
下載自美聯社

SK 海力士 20 日舉行股東會,社長朴星昱(Park Sung-wook)宣誓,20 奈米級 DRAM 最快可能在今年 7 月邁入量產,將可在高階產品趕上三星與美光等競爭者。



海力士目前最先進的製程為 25 與 29 奈米,而三星已在去年第四季搶先邁入 20 奈米製程領域,且預估今年下半年,半數 PC 用記憶體都會以 20 奈米製程打造。

據科技網站 kitguru.net 報導,20 奈米製程在 300mm 晶圓上塞進的晶粒數量較 25 奈米多三成,可降低每單位 IC 生產成本,並提高利潤空間。隨著 8GB DDR4 記憶體時代來臨,20 奈米製程被認為是記憶體廠決勝的關鍵。

除了三星之外,美光去年第四季也已開始試生產 20 奈米記憶體,預計今年進入量產,但初期產量將相當有限,預估 2015 年底,每月會有 8 萬片晶圓轉進 20 奈米製程。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載) 

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