拚年底量產 3D NAND,SK 海力士擬大買設備

作者 | 發布日期 2015 年 07 月 06 日 17:30 | 分類 Samsung , 晶片 , 零組件 follow us in feedly

記憶體大廠整軍經武,準備展開新一波大戰!據傳三星電子和 SK 海力士(SK Hynix)將大買設備,積極投資 3D NAND Flash;另外 DRAM 也將轉進新製程,拉高戰力。




韓媒 etnews 6 日報導,記憶體大廠爭相量產 3D NAND Flash,新製程和傳統 NAND Flash 相比,差別在於從平面改為立體,能層層堆疊,提高效能。據了解,由 2D 轉進 3D NAND Flash,顯影製程不變,但是金屬化和刻蝕步驟將分別增加 50~60%、30~40%,需要採購不少新設備。據了解,三星最早量產 3D NAND Flash,目前正在擴充西安 3D NAND Flash 廠產線,盼將堆疊層數從 32 層提高到 48 層。與此同時,SK 海力士也增加投資,預定今年下半量產 3D NAND Flash,將打造 36 層的 3D NAND Flash 產線。

DRAM 方面,今年下半,三星擬把 20 奈米 DRAM 製程比重提高到 20%,SK 海力士則要將 25 奈米 DRAM 製程比重提高至 60%。為了轉進新製程,兩家公司都將大肆採購。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載)

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