英特爾搶攻記憶體,升級中國廠扮先鋒

作者 | 發布日期 2015 年 10 月 21 日 9:30 | 分類 晶片 , 零組件 follow us in feedly

半導體業龍頭英特爾(Intel)丟震撼彈,20 日宣布將砸重金把位在中國大連的廠房改造成最頂尖的記憶體晶片廠,總投資規模最高上看 55 億美元。



英特爾雖然是以處理器聞名,但最早是以生產記憶體起家,這次可算是重操舊業。大連工廠 2010 年開始營運,產線改頭換面完成後將在 2016 下半年投產。英特爾前 3 至 5 年計劃投資 35 億美元,之後還可能再追加至 55 億美元。(彭博社)

英特爾大轉向是否意謂著與美光的合作關係可能漸行漸遠,亦令人關注。之前,英特爾儲存事業體多仰賴美光代為生產 NAND 快閃記憶體,且兩公司最近才一起發表新一代 3D 多層 NAND 技術。

為破除外界疑慮,英特爾非揮發記憶體部門副總 Rob Crooke 發文表示,與美光的合作關係目前仍穩健,只是英特爾需要額外的貨源服務全球客戶。美光也有類似的評論,甚至考慮未來向英特爾大連廠拿貨。(華爾街日報)

這樁投資案除了象徵英特爾看好記憶體展望外,還有個特別之處是,大連廠製程科技過往均落後英特爾其他廠房兩個世代,但這次則一舉躍升成最尖端的非揮發性記憶體廠,顯示英特爾的重視程度,記憶體龍頭廠三星看在眼裡應該會不寒而慄。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:Flickr/Maurizio Pesce CC BY 2.0)

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