NAND Flash 供不應求,第三季品牌商營收大幅季成長 19.6%

作者 | 發布日期 2016 年 12 月 01 日 14:45 | 分類 Samsung , 手機 , 晶片
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TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 最新調查顯示,受惠於智慧型手機需求強勁,及供給端 2D-NAND 轉進 3D-NAND 所導致的整體產出減少,第三季 NAND Flash 開始漲價,使得 NAND Flash 原廠營收季成長 19.6%,營業利益率也較上季大幅進步。



DRAMeXchange 研究協理楊文得表示,第四季各項終端設備出貨進入今年最高峰,預估整體 NAND Flash 供不應求的市況將更為顯著,各項 NAND Flash 產品的合約價漲幅將更高,廠商的營收與營業利益率也可望再創今年新高。

新聞稿

三星電子

由於第三季中國智慧型手機品牌對於高容量 eMMC/UFS 的需求強勁,讓三星成為最大贏家。三星在高容量的 eMMC/UFS 與 eMCP 市佔率領先同業,企業級 SSD 產品更藉出色的性價比出貨強勁。第三季三星 NAND Flash 位元出貨量季成長約 20%,營收季成長約 20%。

展望第四季,智慧型手機的需求將帶動高容量 eMMC/UFS 與 eMCP 的需求攀升至年度高點,再加上三星在用戶級、企業級 SSD 的市佔率增加,預估第四季三星的營運表現將較第三季更出色。

SK 海力士

同樣受惠中國智慧型手機的 eMMC/eMCP 需求,及其他品牌新機上市的備貨需求帶動,使得第三季 SK 海力士 NAND Flash 位元出貨量季增 12%,平均銷售單價更季成長 7%,營收亦大幅季增 20.3%,至 10.61 億美元。

SK 海力士 3D-NAND Flash 的產能在今年底前將達每月 2~3 萬片,第三代 3D-NAND Flash 明年第一季可開始放量出貨,第四代的 3D-NAND Flash 有機會在明年下半開始少量生產。

東芝電子

同樣受惠於整體 NAND Flash 市況好轉,東芝電子在其會計年度 2016 年第二季(7~9月)位元出貨量季增 15%,平均銷售單價跌幅減緩,整體營收季增約 17%,營業利益率也呈現季成長,營運表現漸入佳境。

產能規劃部分,東芝電子現有第二半導體廠已全力生產 3D-NAND Flash,第四季產能達每月 4 萬片,待 2017 年 64 層堆疊的 3D-NAND Flash 順利量產後,產能提升速度將更快,而其第六半導體廠房新建計畫,將從明年 2 月開始動工。

威騰電子

從威騰電子 2017 會計年度第一季相關 NAND Flash 的表現來看,其 64 層堆疊的 3D-NAND Flash 是投資焦點。目前 64 層堆疊的 3D-NAND Flash 產品正處 OEM 客戶測試階段,預計今年 12 月起率先使用在卡片及隨身碟等產品上,而其 48 層堆疊的產品已在 eMMC/eMCP 等行動式 NAND 及外插式產品線上量產。

現階段 15 奈米 2D-NAND Flash 仍為威騰電子主流製程,良率及成本效益都已達最佳化,因此對利潤提升有很大幫助,2017 年威騰電子的 NAND Flash 位元產出成長率預期將達 45%。

美光

美光 2016 會計年度第四季(6~8 月)位元出貨量季成長 13%,平均銷售單價下滑 1%,非揮發性記憶體(Non-Volatile)營收季成長約 10%,至 10 億美元,在產品營收比重上,Component base 略微下降至 50%、行動式 NAND 產品微幅上升至 18%、SSD 則佔 13%、車用及其他類別佔約 19%。

美光 3D-NAND Flash 架構的行動式 NAND 在客戶端得到不錯評價外,用戶級 SSD 也已開始量產出貨,而企業級 SSD 位元出貨量更大幅季成長逾 45%。此外,等到美光 3D-NAND Flash(TLC)版本成為主流後,將可改善美光 SSD 的成本架構。

英特爾

第三季英特爾 NAND Flash 位元出貨量大幅季增 25% 以上,營收也季成長 17%,至 6.49 億美元,結束連續 3 季的衰退。

從產品規劃來看,雖然英特爾 16 奈米與 20 奈米依舊為產品組合大宗,但自第三季起其 3D-NAND Flash 的企業級固態硬碟已順利出貨放量,性價比已較上個世代產品更具競爭力。在產能規劃上,英特爾大連廠第四季產能約為每月 1 萬片,至明年開始將逐季提升。

(首圖來源:shutterstock) 

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