別放棄 NAND!三星增產重心為 DRAM、NAND 明年續旺?

作者 | 發布日期 2017 年 12 月 05 日 11:30 | 分類 Samsung , 記憶體 , 零組件 follow us in feedly

明年 NAND flash 究竟是漲是跌,多空激烈爭辯。摩根士丹利(大摩)唱衰 NAND flash 的報告,開了第一槍。如今 IHS Markit 也跟進,預測明年 NAND 將供過於求。但是美系外資力排眾議,高喊各方錯看,明年 NAND 供應將持續吃緊。



韓媒 BusinessKorea 5 日報導,IHS Markit 報告預估,明年全球 NAND flash 供給將提高 39.6%、至 2,441 億 GB。其中三星電子將帶頭增產,預料供給將增 39% 至 879 億 GB。與此同時,明年全球 NAND 需求提高 36.7% 至 2,424 億 GB,供給超出需求 17 億 GB,供給過剩比率約為 0.7%。

儘管 NAND 轉跌,DRAM 價格仍旺,業界人士說,三星也許會減產 NAND、增產 DRAM。美系外資附和此一看法,推測三星平澤廠的二樓產線,可能從生產 NAND 改為生產 DRAM。若真是如此,該外資預估,明年 NAND 將短缺0 .7%,供不應求情況到明年第三、四季更為嚴重,將分別短缺 2%、3.2%,吃緊情況為去年第四季以來之最。

部分觀察家則說,另一個可能影響產出的因素是製程轉換的技術問題,也許會讓增產幅度小於預期。技術難度不斷提高,過去六、七年來,業者投資規模大致維持不變,但是產出成長幅度卻減半。隨著三星和 SK 海力士轉進 3D NAND,結果或許好壞參半,壓縮成長增幅。

台北時間 5 日上午 9 點 36 分,三星電子走低 0.74%,報 2,548,000 韓圜。SK 海力士下跌 1.01%,報 78,300 韓圜。

在此之前,另一韓媒也說,三星平澤廠二樓主要用於生產 DRAM,但是警告此舉也許會讓 DRAM 供過於求。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:三星

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