美光、英特爾在 NAND Flash 上分手主因,雙方技術發展態度不一致

作者 | 發布日期 2018 年 05 月 28 日 17:00 | 分類 晶片 , 記憶體 , 零組件 follow us in feedly

隨著近年來 NAND Flash 市場供不應求,價格不斷高漲的情況下,使得投資者的眼光眼開始關注到 NAND Flash 製造廠的身上。2018 年 1 月份,美系的 NAND Flash 廠商英特爾及美光兩家公司宣布,未來再開發出第 3 代 96 層堆疊的 3D NAMD Flash 後將和平分手。至於兩家公司的分手原因,過去一直沒有明確透露,現在才有消息指出,是因為雙方對未來 NAND Flash 的技術發展態度不相同所導致,美光要轉換到到 CTP 技術陣營,而英特爾則是將堅持 Floating Gate 技術陣營。




據了解,在 NAND Flash 的生產技術上,2D NAND Flash 廠商使用浮閘(Floating Gate)技術的還很多。不過轉向 D NAND Flash 的時代,從三星 V-NAND Flash 就開始普遍轉向了電荷儲存(Charge trap,CTP)式技術,只有美光、英特爾還在堅持使用浮閘技術。

事實上,這兩種技術各有優缺點。例如三星早前在 V-NAND Flash 宣傳中就提到了,CTP 技術可靠性更高、P/E 耗能更低、寫入性能更好等,但是這種技術也有成本高等問題。不過早前美光認為 CTP 技術可靠性並不好,如果 6 個月後不使用,NAND Flash 就有可能自己會刪除數據。過去,三星早期的 3D NAND Flash 遭遇過掉速的問題,其原因也大概也與此相關。

不過,到了 3D NAND Flash 時代,NAND Flash 轉向 CTP 技術已經是大勢所趨,使得向來固執的美光也不再堅持繼續浮閘技術,這也就是美光計劃在 96 層堆疊 3D NAND Flash 開發出來之後,技術路線會轉變的原因,但是,其合作夥伴英特爾沒有要這麼進行,因此也就成為了雙方分手的主要原因。

只是,未來美光、英特爾的分手還有至少 1 年時間才能完成,而且在 3D NAND Flash 之後,雙方還會在 3D XPoint Flash 上繼續合作。美光甚至在之前的財報會議上提到,未來將會為 3D XPoint Flash 建立單獨的工廠。至於,英特爾之前也將把於中國大連的晶圓廠改建為 NAND Flash 廠,未來主要生產 3D NAND Flash 的情況下,兩家公司合作生產 3D XPoint Flash,未來也有可能在這裡生產。因此未來兩家公司的合作,預料還是會繼續發展下去。

(首圖來源:美光官網)