東芝與威騰電子合資新晶圓廠開幕,9 月量產 96 層 3D NAND Flash 作者 Atkinson | 發布日期 2018 年 09 月 19 日 17:00 | 分類 國際貿易 , 會員專區 , 處理器 | edit 日本記憶體大場東芝記憶體(Toshiba Memory Corporation)與威騰電子(Western Digital)於 19 日宣布,共同在日本三重縣四日市的 6 號晶圓廠(Fab 6)舉行開幕儀式。該廠為新設先進半導體製造廠區,並設有記憶體研發中心(Memory R&D Center)。 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews 科技新知,時時更新 科技新報粉絲團 加入好友 訂閱免費電子報 關鍵字: 3D Nand Flsah , 半導體 , 威騰電子 , 晶圓廠 , 東芝 , 沉積 , 蝕刻 , 記憶體