供需失衡態勢難止，NAND Flash 供應商 2019 年資本支出年減 2%

TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）指出，NAND Flash 市場經歷 2018 年全年供過於求，2019 年在筆記型電腦、智慧型手機、伺服器等主要需求表現難見起色下，預計產能過剩難解，因而使得供應商進一步降低資本支出以放緩擴產進程，避免位元成長過多導致過剩狀況加劇。

根據 DRAMeXchange 調查指出，2018 年因供過於求難以遏制，韓系供應商帶頭降低資本支出，NAND Flash 總體資本支出下調近 10%，但仍無法翻轉供需失衡情形，2019 年轉為美系廠商減少資本支出，使得 NAND Flash 整體資本支出較 2018 年持續下滑約 2%，總支出規模約為 220 億美元。

受到供應商調整擴產計畫影響，儘管各供應商已於 2018 年第四季起量產 92 / 96 層 3D NAND，但直至 2019 年底將僅占約 32% 位元產出，而 64 / 72 層的產出占比仍有逾 50%，供應商放緩製程的推進，造成 2019 年 NAND Flash 位元成長將僅約 38%，相比 2018 年逾 45% 水準明顯下降。

觀察各供應商產能調整，DRAMeXchange 指出，三星持續減產 2D NAND 產能，加上 92 層製程消耗更多的廠房空間，2019 年運轉產能將較2018年底下調，位元產出成長率降至約 35%，由於三星全球市占率約三成，三星位元產出成長率的放緩對全球產出成長影響較大；SK 海力士、東芝／威騰分別有 M15 以及 Fab 6 的新廠擴建，但同樣受到減產計畫或轉產舊製程的影響，產出年成長率有機會低於原先預期，SK 海力士和東芝／威騰原先位元產出成長率預估值分別約為 50% 與 40% 水準，但我們預期會各自下修到 50% 以下，以及約 35% 的水位，以反映今年市場需求的急凍；美光的新加坡新廠則要等到 2020 年才正式量產，因此全年產能幾乎維持不變；英特爾則除了填滿大連廠產能，並無宣布其他擴產規劃，美光與英特爾陣營 2019 年整體位元產出成長接近 40% 水準，相較 2018 年 45% 以上的成長幅度明顯收斂。

從 2019 年 NAND Flash 價格走勢來看，DRAMeXchange 指出，由於原廠在各產品線的合約價報價跌幅，皆明顯高於我們原先的預期，顯示原廠正面臨龐大的庫存壓力。因此，NAND Flash 2019 年第一季市場均價季度跌幅度可能從原先估計的 10%，一舉提高至 20% 水準，第二季報價可能將續跌將近 15%，下半年雖有旺季需求挹注，跌幅可望略微收斂，但各季價格跌幅仍將維持在 10% 左右水準，端看原廠是否能再進一步降低自身產出水位。綜上所述，DRAMeXchange 認為，今年旺季若仍無足夠需求動能支撐，NAND Flash 市場均價跌幅則可能擴大至 50% 水準，近乎腰斬。

（首圖來源：shutterstock）