SK 海力士 2030 年推 800+ 層堆疊 NAND Flash,屆時 SSD 可達 200TB

作者 | 發布日期 2019 年 08 月 12 日 16:30 | 分類 晶圓 , 記憶體 , 零組件 follow us in feedly


目前,兩大韓系 NAND Flash 廠商──三星及 SK 海力士在之前就已經公布了新 NAND Flash 產品的發展規劃。其中,三星宣布推出 136 層堆疊的第 6 代 V-NAND Flash 之外,SK 海力士則是宣布成功開發出 128 層堆疊的 4D NAND Flash,並已經進入量產階段。不過,雖然兩家廠商競相推出 NAND Flash 的新產品,但是堆疊技術的發展至今仍未到達極限。所以,SK 海力士日前在一場會議上就公布了公司的規劃,預計在 2030 年推出 800+ 層的 NAND Flash,屆時將可輕鬆打造出 100 到 200TB 容量的 SSD。

在日前舉行的 「 Flash Memory Summit 」 大會上,SK 海力士公布旗下新產品的規劃以及公司的相關布局。根據內容指出,目前 SK 海力士正在開發 128 層堆疊的 4D NAND Flash,其量產時間將落在 2019 年第 4 季。另外, SK 海力士還展示了一款「PE8030」的全新 SSD,採用 PCIe 4.0×4 介面連接,提供了 800GB、1600GB、3200GB、6400GB 容量,連續讀寫速度最高可達 6200MB/s、3300MB/s,而 4KB 隨機讀寫最高可達 950K IOPS、260K IOPS。

在研發發展方面,目前 SK 海力士正在研發 176 層 NAND Flash,而其他產品的發展,包括 72 層堆疊的 4D NAND Flash 目前大規模量產中,96 層堆疊的 4D NAND Flash 目前也在大規模量產中,而且未來產能即將超越 72 層堆疊的 4D NAND Flash。128 層堆疊的 4D NAND Flash 將於 2019 年第 4 季量產,176 層堆疊產品 2020 年問世、500 層堆疊產品則將於 2025 年問世,其 TB/wafer 容量比將可提升 30%。而 800+ 堆疊的 4D NAND Flash 則是預計 2030 年問世,TB/wafer 容量比提升到 100 到 200TB 的大小。

據了解,目前 SK 海力士生產的 128 層堆疊 NAND Flash 核心容量是 1Tbit,176 層堆疊的核心容量則是來到 1.38Tbit,預計 500 層堆疊時核心容量可達 3.9Tbit,到 800 層堆疊時則會高達 6.25Tbit,是現在的 6 倍多。而若以當前 SSD 固態硬碟的容量計算,目前最大容量約在 15 到 16TB 左右。而依照 6 倍核心容量的成長幅度來計算,未來 SSD 容量可達 200TB 左右,這個容量要比當前的 HDD 還要更大。

(首圖來源:SK 海力士)