英特爾預計 2021 年全面轉向 144 層堆疊 NAND,還將推新 Optane

作者 | 發布日期 2020 年 05 月 11 日 10:15 | 分類 記憶體 , 零組件 , 電腦 Telegram share ! follow us in feedly


處理器龍頭英特爾(Intel)近期在快閃記憶體的發展也隨其他廠商的腳步,開始有新進度。根據外媒報導,英特爾快閃記憶體部門最近公布發展藍圖,其他 NAND 快閃記憶體供應商都開始向 1xx 層堆疊發展當下,身為主要 NAND 製造商之一的英特爾也預計 2021 年全面轉向 144 層堆疊產品。

英特爾新發展的 144 層堆疊的 QLC NAND 快閃記憶體代號為「Keystone Harbor」,也在開發 5 bit 的 PLC 晶片,密度再提高 25%,將使英特爾預計再推出第 2 代傲騰(Optane)3D X-point 快閃記憶體,新產品代號為「Alder Stream」,支援 PCI-Express gen 4.0 介面。

首先使用 144 層堆疊 NAND 的產品會是英特爾自家 QLC SSD,並預計 2020 年稍晚推出產品。另外,除了研究更高層數的堆疊技術,英特爾還在積極開發 PLC,也就是單個單元儲存 5bit 數據的新 NAND 快閃記憶體。不過,英特爾並沒有公布具體會在什麼時候推出 PLC SSD。將 QLC SSD 升級到 144 層堆疊之後,預計 2021 年英特爾會把全系列 SSD 都升級到採用 144 層堆疊 3D NAND 快閃記憶體。

英特爾快閃記憶體部門是與記憶體大廠美光科技(Micron Technology)分拆後合成,技術上,英特爾未來將藉由新 144 層堆疊 3D NAND 快閃記憶體超越美光科技。預料 3D NAND 快閃記憶體大約將在美光開始推出 128 層 3D NAND 快閃記憶體的同時也開始交付客戶。

目前在全球市場,南韓 SK 海力士將在 2020 年稍晚銷售 128 層堆疊 3D NAND 快閃記憶體。鎧俠(KIOXIA)已在 2020 年初推出 112 層堆疊 3D NAND 快閃記憶體。中國長江存儲日前宣布推出兩款 128 層堆疊的 3D NAND 快閃記憶體,分別為容量 1.33Tb 的 128 層 QLC 3D NAND Flash 快閃記憶體,以及容量為 512Gb 的 128 層 TLC 3D NAND Flash 快閃記憶體。

另外新一代 Optane 發展,英特爾將使用 4 層第 2 代 3D XPoint 快閃記憶體,並換上全新控制器和 PCIe 4.0。新一代 Optane SSD 最大容量可能達 3TB,會是運用在企業級產品的容量,預計英特爾推出下一代代號「Sapphire Rapids」的 Xeon 系列伺服器處理器和 Eagle Stream 平台時,新一代 Optane SSD 將是一部分。英特爾表示,目前正在位於新墨西哥州的工廠研發 3D XPoint 技術,並擁有多家能生產 3D XPoint 的工廠。

(首圖來源:英特爾)