為先進邏輯製程與新款記憶體生產助攻,應材推出新款蝕刻系統

作者 | 發布日期 2020 年 08 月 10 日 16:00 | 分類 材料、設備 , 零組件 Telegram share ! follow us in feedly


近來,由於先進邏輯製程與新款記憶體的應用已成為當前半導體產業發展的重心,而為了滿足產業界的需求,全球最大半導體設備供應商美商應材(Applied Materials)推出了全新蝕刻系統 Sym3 Y,能用於 3D NAND、DRAM 與代工邏輯節點的關鍵導體蝕刻應用。應材指出,Sym3 Y 目前已出貨 5,000 個反應室,是應材史上量產最快速的產品,為協助客戶打造先進記憶體與邏輯晶片更下一城。

應材表示,極成功的 Centris Sym3 蝕刻產品系列加入一項新產品,能幫助晶片製造商精準圖形化,在尖端記憶體晶片與邏輯晶片打造尺寸體積更小的功能。而全新的 Centris Sym3 Y 就是應材最尖端的導體材料蝕刻系統,運用創新的射頻脈衝技術,依據客戶需求提供非常高的材料選擇比、深度控制與輪廓控制,在 3D NAND、DRAM 與邏輯晶片打造最密堆疊的高深寬比結構,包括 FinFET(鰭式電晶體)和新型的閘極全環(gate-all-around)架構。

在過往 Sym3 產品系列有一項獨特的技術特色是高傳導反應室架構,能快速且有效地清空蝕刻副產物,這些副產物會隨著每片晶圓通過時逐漸累積。而 Sym3 Y 系統延伸這項成功的架構的優勢,運用專用的全新塗層材料來保護反應室關鍵的元件,進而減少缺陷,提升良率。這使得 Sym3 蝕刻系統自 2015 年推出以來,已成為應材史上量產最快速的產品,公司才剛出貨第 5,000 個反應室。

應材進一步指出,Sym3 產品系列是應材策略成功的關鍵,提供客戶打造與材料圖形化的新方法,協助推出新穎 的3D 結構,以及持續微縮 2D 結構的新方法。應材運用獨特的 CVD 圖形化薄膜,與 Sym3 系統進行共同最佳化,促進客戶增加 3D NAND 記憶體元件的層數,並減少四重圖形化在 DRAM 應用層所需的步驟。並結合應材的尖端電子束檢測技術一同佈署應用,希望加速業界最先進節點的研發及高產能的生產,協助客戶改善晶片功率、性能、面積成本及上市時間(PPACt)。

新的每組 Sym3 Y 系統包含多個蝕刻與電漿清洗晶圓製程反應室,由系統智慧管控,確保製程所有反應室都精準吻合,能持續得到相同成果和高產能。這項全新系統已為全球多家領先的 NAND、DRAM 與代工邏輯客戶採用。

(首圖來源:應材)