南韓科學家發現全新儲存技術,可讓記憶體容量增加 1,000 倍

作者 | 發布日期 2020 年 08 月 20 日 17:04 | 分類 儲存設備 , 尖端科技 , 材料 Telegram share ! follow us in feedly


如何提升記憶體的儲存容量,是記憶體產業永不變的目標,如今,這項進展又有了新突破。根據外國媒體 Tech Explorist 報導,南韓 UNIST 能源與化學工程學院教授 Jun Hee Lee 與研究團隊發現了一種新的物理現象,有望將記憶體晶片的儲存容量提升 1,000 倍;目前研究團隊正致力將此物理現象用於鐵電隨機記憶體(FRAM)。

FRAM 透過所謂的極化現象(Polarization)儲存訊息,優點在於速度更快、功耗更低,甚至電源關閉後仍能保留儲存的資料;而目前對 FRAM 的技術研究,多集中在減小鐵電域(Ferroelectric Domains)大小同時還能保持存儲容量;因鐵電域形成(發生自發極化的微小區域)至少需要成千上萬個原子。

而報導指出,Lee 與其帶領的 UNIST 團隊,發現透過添加一滴電荷到稱為鐵電氧化 Ha(HfO2)的半導體材料,可控制 4 個單獨的原子儲存 1 位數據;經適當應用後,記憶體儲存容量可達每平方公分 500Tbit,是目前快閃記憶體的 1,000 倍。

Lee 表示,此技術將有助於加速記憶體縮小,且透過這種技術,有望將記憶體儲存容量擴大1,000 倍,同時也有助於研發低成本的 FRAM 或鐵電場效電晶體(Ferroelectric Field-effect Transistor,FeFET)。

(首圖來源:UNIST

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