Tag Archives: 合肥長鑫

來自中國供應商 DRAM 顆粒正式進入市場,對記憶體前景更添變數

作者 |發布日期 2020 年 04 月 23 日 8:30 | 分類 中國觀察 , 國際貿易 , 晶片

武漢肺炎疫情於全球持續蔓延的情況下,因為帶動居家辦公與遠距教學的需求,所以市場掀起一波筆電與雲端伺服器的採購熱潮,連帶拉抬日前記憶體市場的需求。隨著疫情持續,各項 3C 商品採購熱度逐步降溫,近來記憶體市場回復成長趨緩的狀態。此時,市場又傳出中國廠商生產的 DRAM 產品開始少部分進入市場,這預計讓未來的記憶體市場發展更添變數。

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中國自主化而降低對外採購,三星將因華為減少採購而衝擊營收

作者 |發布日期 2019 年 12 月 09 日 11:40 | 分類 Samsung , 中國觀察 , 國際貿易

在美中貿易戰的刺激下,中國為了扶植本身的產業,增加其自主性,再加上在 5G 產品方面,中國華為與三星電子彼此有其競爭性。因此,過去華為向三星電子進行採購的部分,未來將逐漸減少,轉而向中國國內企業採購。也就是未來中國華為對三星電子的營收貢獻度將開始大量下滑,衝擊其營運表現。

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2020 年中國記憶體產能將占全球 5%,中國政府支持未來是潛在威脅

作者 |發布日期 2019 年 11 月 21 日 8:30 | 分類 中國觀察 , 國際貿易 , 記憶體

根據《日經亞洲評論》的報導指出,中國記憶體製造將有重大突破,預計 2020 年將由現在的占全球記憶體產量零的水準,提升到占有 5% 的比重。這雖然對於目前掌握記憶體市場的韓、美、日等國家的領導廠商來說仍不足以構成威脅,但將會是中國記憶體生產上的一大里程碑。

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合肥長鑫今年僅 5,000 片產能,17 奈米 2021 年導入影響當前市場有限

作者 |發布日期 2019 年 11 月 14 日 11:30 | 分類 中國觀察 , 國際貿易 , 記憶體

針對之前中國記憶體廠合肥長鑫宣布,預計將在 2019 年底前生產 DDR4 DRAM 記憶體,並採第一代 1x 奈米 (19 奈米) 製程生產,初期希望能達到每月 2 萬片產能的消息,現在有媒體報導,合肥長鑫不但預計在 2020 年中將月產能提升至 4 萬片,還預計直接跳過 18 奈米,直接往 17 奈米製程發展的消息。市場人士對此表示,合肥長鑫 17 奈米製程預計要到 2021 年才有機會導入之外,目前 19 奈米製程至 2019 年底前每月產能也僅有 5,000 片上下,要擴產仍必須視良率的進展而定。

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合肥長鑫預計年底量產 1x 奈米 DDR4 DRAM,自主設計將成量產關鍵

作者 |發布日期 2019 年 09 月 12 日 12:10 | 分類 中國觀察 , 國際貿易 , 記憶體

雖然受到美國的壓力,但中國發展記憶體的決心似乎仍未改變。就在日前中國紫光集團宣布,將在重慶投資數百億建設 DRAM 記憶體研發中心及晶圓廠,預計最快 2021 年量產之後,現在又傳出中國的合肥長鑫將在年底前生產 DDR4 DRAM 記憶體,並採第一代 1x 奈米的製程生產,初期希望能達到 2 萬片的產能。

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貿易戰衝擊,中國半導體達成自給自足仍有許多困難要克服

作者 |發布日期 2019 年 05 月 20 日 12:00 | 分類 國際貿易 , 晶圓 , 晶片

美中貿易戰升溫以來,中國政府就意識到,美國最終會以「禁售令」殺手鐧來對付中國企業。果不其然,美國商務部確認將中國華為及旗下 70 家子公司一同列入「實體管制名單」。像之前美國禁售中興通訊與福建晉華,美國企業未經許可下,不能與名單企業進行生意往來與服務。就中興通訊與福建晉華的結果來看,中興通訊同意了美方條件,並繳清罰金後才避免倒閉的命運,而福建晉華至今禁售令持續,公司處於停擺狀態,可見禁售令的殺傷力之大。

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中國半導體製造挑戰龐大,2025 年實現自製率 70% 難度高

作者 |發布日期 2019 年 02 月 11 日 9:00 | 分類 國際貿易 , 晶圓 , 晶片

雖然提升半導體的自製率一直是中國政府的政策,而且希望在 2025 年之際,中國半導體的自製率能達到 70% 的目標,不過根據市場研究機構《IC Insights》的最新報告顯示,中國要大幅提升半導體自給率的目標,要真正實現還有很大難度。

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中國記憶體元年夢碎?南韓專家:量產恐延至 2020 年或更晚

作者 |發布日期 2019 年 01 月 10 日 12:30 | 分類 中國觀察 , 晶片 , 記憶體

外界原本估計 2019 年是「中國記憶體元年」,中國三大記憶體廠商都將在今年投產,帶動半導體產業起飛,但是美國科技禁售令和國際半導體市場低迷,重創中國。部分人士預測,中國廠量產時間將被迫延後至明年、甚至更晚。 繼續閱讀..

兆易創新朱一明辭任執行長,改接合肥長鑫執行長衝 DRAM 量產

作者 |發布日期 2018 年 07 月 18 日 17:00 | 分類 中國觀察 , 記憶體 , 財經

根據中國媒體報導,全力發展記憶體產業的中國企業,近期又開始有新產品投入量產。那就是合肥長鑫日前宣布已經開始投產 8Gb LPDDR4 DRAM 記憶體。巧的是,就在合肥長鑫宣布開始投產 8Gb LPDDR4 DRAM 記憶體之後,兆易創新的董事長兼執行長的朱一明,也隨即在 7 月 16 日宣布辭去兆易創新執行長職務,由合肥長鑫原執行長王寧國的手中,正式接任合肥長鑫存儲及睿力執行長,顯示中國對發展記憶體產業的重視,並希望借助朱一明的經驗,來打造中國記憶體產業版圖。

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兆易創新與合肥長鑫年底將試產 19 奈米 DRAM,但拉良率還需數年

作者 |發布日期 2018 年 05 月 21 日 18:40 | 分類 中國觀察 , 國際貿易 , 會員專區

根據中國媒體報導,中國本土記憶體廠商兆易創新(Gigadevice)與合肥長鑫合作生產的第 1 顆中國本土生產 DRAM,將使用 19 奈米製程技術,並預計在 2018 年下半年開始試產,未來量產後的總產能可達全球 DRAM 產能 8%。

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2022 年中國記憶體生產僅影響南韓 78 億美元,仍難撼動三星、SK Hynix 地位

作者 |發布日期 2018 年 05 月 14 日 16:00 | 分類 中國觀察 , 國際貿易 , 會員專區

當前,不論 DRAM 還是 NAND Flash 等記憶體,中國市場基本上 100% 依賴進口,這使得其產業發展需求也最為迫切。因此,現階段在中國政府的支持下,除了紫光集團旗下的長江存儲已經在武漢建設 NAND Flash 工廠,預計 2018 年下半年量產之外,其他包括安徽合肥、福建晉江也有團隊在進行 DRAM 研發,這使得未來幾年,中國生產記憶體就會逐漸進入市場。對此,南韓企業也開始關注中國競爭對手的加入。南韓預測,在 2022 年時會因為中國競爭的影響,南韓企業將減少 78 億美元的記憶體的銷售金額。

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中國三大記憶體陣營預計下半年試產,2019 年為中國記憶體生產元年

作者 |發布日期 2018 年 04 月 19 日 13:30 | 分類 國際貿易 , 會員專區 , 記憶體

全球記憶體市場需求持續不減,國際大廠紛紛投入擴產行動。包括龍頭三星在 NAND Flash 方面,宣布中國西安開始第 2 期的建設工程,DRAM 上也有意在南韓平澤(Pyeongtaek)廠大幅生產。而另一家南韓大廠 SK 海力士,除了生產 NAND Flash 的 M15 廠預期在 2019 年正式營運之外,在 DRAM 部分也斥資 86 億美元,將在中國無錫興建第 2 期廠房。

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台灣半導體留才難!王文淵:兩年南亞科、華亞科遭中國挖角 500 人

作者 |發布日期 2018 年 04 月 18 日 11:00 | 分類 人力資源 , 晶片 , 會員專區

近年來,中國政府在全力支持半導體產業發展下,對相關人才需求若渴。同文環境下的台灣,半導體發展較成熟,專門人才也較豐富的情況下,成為中國覬覦的目標。根據甫接下工總理事長位子的台塑集團總裁王文淵表示,台塑旗下南亞科及華亞科兩家半導體公司,2 年來就被中國挖角了 500 名專業人才,顯見台灣半導體產業已陷入留才的龐大壓力。

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