Tag Archives: dram

華為跨足 DRAM 製造！借力福建晉華技術，攜昇維旭、地方政府拚供應鏈自主
作者 |發布日期 2026 年 07 月 14 日 12:06 |
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分類 中國觀察 , 半導體 , 記憶體

中國 DRAM 產業近期動作頻頻，除了長鑫存儲積極推進 IPO 計畫並加速擴產外，市場消息傳出，華為也計劃切入 DRAM 領域，利用長期低調發展的晉華技術來發展 DRAM 業務，並尋求與廈門等地方政府合作成立新公司，來推動大型記憶體製造計畫。 繼續閱讀..

日韓團隊提突破性 AI 記憶體設計，DRAM「側向立起」破解 HBM 散熱與頻寬瓶頸
作者 |發布日期 2026 年 07 月 13 日 10:50 |
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分類 半導體 , 記憶體

韓國與日本研究團隊近日提出兩種全新的記憶體整合構想，試圖在不讓高頻寬記憶體（HBM）堆疊持續升高的情況下，提升容量與頻寬，同時緩解 AI 晶片最棘手的散熱壓力。兩項研究都在 6 月舉行的 2026 IEEE/JSAP VLSI Technology and Circuits Symposium 上發表，核心思路都是把 DRAM 晶片從傳統「向上堆疊」改為「側向立起」配置。 繼續閱讀..

長約定下漲幅天花板，3Q26 伺服器 DRAM 合約價估季增 13%~18%
作者 |發布日期 2026 年 07 月 09 日 14:05 |
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分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 國際貿易

TrendForce 最新記憶體價格調查，由於部分原廠提早於 2026 年第二季的報價反映漲幅，加上數家美系雲端服務供應商（CSP）已簽署複數年長約（LTA），限制原廠對該類客戶的漲價空間，TrendForce 預估第三季伺服器 DRAM 合約價將季增 13%~18%。然而，供不應求格局延續，後續仍可能出現各原廠競相上修報價情況。 繼續閱讀..

記憶體三大廠鬆口氣？中國長鑫存儲搶攻 HBM 市場傳聞可能不如預期
作者 |發布日期 2026 年 07 月 09 日 7:00 |
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分類 中國觀察 , 半導體 , 國際貿易

朝鮮日報報導，中國最大 DRAM 製造商長鑫存儲（CXMT）為在上海科創板上市所提出的證券申報書中，並未包含高頻寬記憶體（HBM）的相關設備投資內容。這代表著中長期間被視為會對全球三大記憶體原廠構成威脅的「中國 HBM 崛起」計畫，至少在這次的大規模投資中尚未浮現。

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減輕供應壓力與成本，聯想國際版筆電首度搭載長江存儲 NAND Flash
作者 |發布日期 2026 年 07 月 07 日 10:00 |
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分類 半導體 , 筆記型電腦 , 記憶體

隨著全球 NAND Flash 模組面臨嚴重短缺與價格飆漲，中國電腦大廠聯想（Lenovo）近日首度在其針對全球市場銷售的筆記型電腦中，採用中國記憶體大廠長江存儲（YMTC）製造的固態硬碟（SSD）。此舉不僅打破了傳統由少數國際大廠主導的市場格局，也代表著中國國產記憶體正式進軍全球科技供應鏈。

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威剛 6 月營收再創新高，上半年累計營收超過 2025 年全年
作者 |發布日期 2026 年 07 月 06 日 15:30 |
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分類 AI 人工智慧 , 儲存設備 , 半導體

記憶體模組廠威剛受惠 DRAM 與 NAND Flash 價格同步走揚，6 月合併營收攀升至 146.6 億元，連續 4 個月刷新單月歷史紀錄。合計，第二季合併營收 381.6 億元，同樣改寫單季歷史新高，連續 3 季創下史上最佳表現。累計，2026 年上半年合併營收達 642.7 億元，即提前超越 2025 年全年 530.4 億元營收，展現 AI 帶動產業進入新一波記憶體超級循環，公司營運規模快速躍升。

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