Tag Archives: NAND Flash

新半導體產線何時啟動運作，三星目前陷入兩難局面
作者 |發布日期 2019 年 10 月 21 日 18:50 |
分類 Apple , Samsung , 伺服器

之前，在半導體市況好的時候，南韓三星在中國陝西省西安市和南韓京畿道平澤市所擴增的半導體生產線，如今面臨了在記憶體市場價格跌價的情況下，何時進一步啟動運作的大問題。因為，一但三星啟動新的產線，則將對目前好不容易有復甦跡象的半導體市場再進行一次的重擊，使得市場重回供過於求，價格下跌的困境。但是，面對競爭對手開始進行增產的計畫，三星也怕可能失去市場佔有率。因此，這樣問題讓三星目前陷入兩難的困擾中。

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半導體市況回復！第二大 NAND 廠 Kioxia 傳明年初 IPO
作者 |發布日期 2019 年 10 月 07 日 9:45 |
分類 國際貿易 , 記憶體 , 財經

共同通信 4 日報導，全球第二大 NAND 型快閃記憶體（Flash Memory）廠商鎧俠（Kioxia，舊稱東芝記憶體）考慮在 10 月內提出預備申請，目標在明年初於東京證券交易所第一部 IPO 上市，上市籌得資金將用於興建需花費 1,500 億至 3,000 億日圓的新生產設備。 繼續閱讀..

東芝記憶體傳砸 3 千億日圓，增產 3D NAND
作者 |發布日期 2019 年 10 月 01 日 8:30 |
分類 國際貿易 , 記憶體 , 財經

日刊工業新聞 9 月 30 日報導，全球第二大 NAND 型快閃記憶體（Flash Memory）廠商「東芝記憶體 Holdings」（Toshiba Memory Holdings）將在旗下四日市工廠興建最先端的 3D NAND Flash 新廠房，預估新廠房將在 2020 年 12 月動工、2022 年夏天完工，總投資額預估達 3,000 億日圓，目標是藉此在先端領域超越南韓三星電子。 繼續閱讀..

中國謠傳東芝記憶體火警衝擊類股股價，東芝聲明與記憶體無關
作者 |發布日期 2019 年 09 月 26 日 13:45 |
分類 中國觀察 , 國際貿易 , 記憶體

25 日，日本以經營基礎設施建設的東芝基礎設施三重工廠發生火警，火勢在一個小時內隨即撲滅，因為工廠內沒有員工在工作，因此沒有傳出任何的傷亡情況，不過此事件觸動了正在發展記憶體的中國敏感神經，誇大報導為發生火警的地方為全球生產 NAND Flash 的東芝記憶體 (TMC) 的重要工廠，使得 26 日一早包括中國及台灣兩地的記憶體類意義股股價緊張。

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SEMI 捎來記憶體回穩訊息，國內記憶體類股 17 日股價全面翻揚
作者 |發布日期 2019 年 09 月 17 日 17:10 |
分類 國際貿易 , 記憶體 , 財經

受到即將展開的 SEMICON Taiwan 國際半導體展激勵，加上根據 SEMI 的分析，預期 2020 年半導體市場將有 5% 至 8% 的復甦，其中拖累 2019 年半導體市場的記憶體產品，NAND Flash 將在 2020 年上半年回溫，DRAM 則將在 2020 年下半年復甦的利多消息刺激下，17 日台股記憶體類股無懼大盤下跌的衝擊，各家廠商全面大廠。包括南亞科、旺宏、華邦電的個股，分別都有 2.16% 到 4.99% 間的漲幅。

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2018 年全球前十大 SSD 模組廠品牌排名，金士頓、威剛、金泰克穩居前三大
作者 |發布日期 2019 年 09 月 17 日 14:45 |
分類 晶片 , 記憶體 , 零組件

根據 TrendForce 記憶儲存研究（DRAMeXchang e）最新 2018 年全球 SSD 模組廠自有品牌在通路市場的出貨量排名調查顯示，2018 年全球通路 SSD 出貨量約 8,100 萬台水準，較 2017 年成長近 50%， SSD 通路市場上的前三大模組廠自有品牌分別為金士頓、威剛、金泰克。

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SEMI：2020 年全球半導體回溫，預估將有 5% 到 7% 成長幅度
作者 |發布日期 2019 年 09 月 16 日 18:20 |
分類 晶圓 , 晶片 , 處理器

根據國際半導體產業協會（SEMI）預估，雖然 2019 年全年受到庫存過多，需求下滑，以及貿易戰的環境衝擊，半導體市場處於一個較危險的狀態，不過在 2019 年下半年可望逐步回溫的情況下，時間來到 2020 年將會有一波較好的反彈契機。而就半導體設備的支出情況來看，2019 年台灣仍是全世界最大的半導體設備市場，但是 2020 年中國可能會超越。

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資料中心等恢復拉貨，威剛估 DRAM、Nand 漲勢可期
作者 |發布日期 2019 年 08 月 23 日 10:35 |
分類 晶片 , 記憶體 , 零組件

近期 DRAM 現貨價格回跌，記憶體模組廠商威剛董事長陳立白認為，現貨市場再跌有限，主要是資料中心（Data center）客戶開始下單時，DRAM 現貨價將會開始二次反彈，且市場也會為了延到 11 月中的中美貿易談判前先拉貨，預估現貨價再跌空間有限，10 月初反彈，合約價也不會再有跌勢，而 Nand 目前原廠不急於虧損生產，在需求提升下，價格仍有再往上的可能。 繼續閱讀..

美光宣布量產第 3 代 10 奈米級製程 DRAM，預測美光台中廠將設產線
作者 |發布日期 2019 年 08 月 19 日 13:30 |
分類 國際貿易 , 手機 , 記憶體

根據國外科技媒體《Anandtech》的報導指出，日前美系記憶體大廠美光科技 (Micron) 正式宣布，將採用第 3 代 10 奈米級製程 (1z nm) 來生產新一代 DRAM。而首批使用 1z nm 製程來生產的 DRAM 將會是 16GB 的 DDR4 及 LPDDR4X 記憶體。對此，市場預估，美光的該項新產品還會在 2019 年底前，在美光位於台灣台中的廠區內建立量產產線。

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