英特爾、美光開發 3D Xpoint 記憶體,嚇壞三星、Hynix

作者 | 發布日期 2015 年 08 月 07 日 16:01 | 分類 晶片 , 會員專區 , 零組件 Telegram share ! follow us in feedly


英特爾(Intel Corp.)、美光(Micron Technology Inc.)於 7 月 29 日宣布開發出新世代記憶體技術「3D Xpoint」,儲存的資料比 DRAM 高出十倍,讀寫速度與耐受度更是 NAND 型快閃記憶體的 1 千倍之多,如此革新的技術讓三星電子(Samsung Electronics Co.)、SK Hynix 大為緊張。

本篇文章將帶你了解 :
  • 英特爾、美光開發 3D Xpoint 記憶體,嚇壞三星、Hynix