英特爾（Intel Corp.）、美光（Micron Technology Inc.）於 7 月 29 日宣布開發出新世代記憶體技術「3D Xpoint」，儲存的資料比 DRAM 高出十倍，讀寫速度與耐受度更是 NAND 型快閃記憶體的 1 千倍之多，如此革新的技術讓三星電子（Samsung Electronics Co.）、SK Hynix 大為緊張。
BusinessKorea 7 日報導，3D XPoint 類似次世代 ReRAM 或 PRAM 科技，能完全改變資料儲存的方式，半導體專家相信，自從東芝在 1987 年首次展示 NAND 型快閃記憶體之後，3D XPoint 會是這 30 年間一個相當重要的變革。
NAND 型快閃記憶體在讀取或寫入資料時，不會直接針對某個記憶體單元動作，而是會讀取一整排的單元、然後選出需要的資訊。相較之下，3D XPoint 則可指定特定的記憶體單元，經由電路把資料存入，這些電路被排列成水平與垂直線，其交會點可為每一個單元創造位址。
這種技術能夠輕鬆複製三星獨家生產的 3D V-NAND。英特爾指出，3D XPoint 能夠建立 3D 架構，把記憶體單元層層堆疊，而由於這些單元是被擺在電路中間，因此的確能夠設計出一個多層架構，把單元與電路依序堆疊起來。
英特爾預計今年下半年就能將 3D XPoint 記憶體原型配送給企業夥伴，還打算在 8 月 18-20 日的舊金山開發者論壇（IDF）發布全新產品系列，預計採用 3D Xpoint 的產品將在 2016 年問世。BusinessKorea 引述業界人士指出，三星、SK Hynix 原本認為英特爾的次世代記憶體最快也得等到 2019 年才能量產，怎知英特爾與美光的速度如此之快、讓人大吃一驚，也促使他們加快腳步投資次世代記憶體晶片。
（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載）
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