錯怪三星?Brean Capital:記憶體產出不致失控,價格將回穩

作者 | 發布日期 2016 年 04 月 18 日 16:15 | 分類 Samsung , 手機 , 晶片 line share follow us in feedly line share
錯怪三星?Brean Capital:記憶體產出不致失控,價格將回穩


Bernstein Research 先前痛批三星電子心狠手辣,意圖在記憶體界趕盡殺絕,剷除 SK 海力士(SK Hynix)、美光(Micron),剩下一家獨大。對此,Brean Capital 看法不同,Brean Capital 較為樂觀,認為業者為了追求利潤,DRAM 和 NAND Flash 產出不致失控;並指出智慧手機的記憶體需求大增,價格將逐漸回穩。

霸榮(Barronˋs)網站、韓媒 etnews 報導,Brean Capital 的 Mike Burton 表示,英特爾的大連工廠改為 3D NAND Flash 廠,預定今年下半投產。由於三星已經開始生產 3D NAND,其他業者也陸續跟進,不少人擔心可能會供給過剩。Burton 認為,各廠應會有所節制,攜手追求最大利潤。

Burton 並指出,目前只有三星有能力製造 3D NAND,其他業者要到今年下半才開始生產。3D NAND 採用較舊製程(35~50 奈米),業者能以較低成本提高產能。英特爾主管 David Lundell 表示,預計大連廠會在今年底量產 3D NAND。

DRAM 方面,Burton 預期需求飆升,價格將逐漸穩定。舉例而言,蘋果 iPhone 6s 內建 DRAM 加倍,增至 2GB,iPad Pro 記憶體也增至 4GB。高階 Android 機種記憶體達 3GB,三星 S7 更內建 4GB DRAM。

美光 15 日上漲 2.79% 收在 10.69 美元,不過今年迄今仍大跌 24.51%。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載)

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