三星 NAND 記憶體新廠施工順遂，上半年有望如期投產

三星電子周二宣布，位在首爾南方的新晶片廠施工進度順利，將如期於 2017 上半年投產。（韓聯社）

三星新晶片廠於 2015 年動土，共投入 15.6 兆韓圜（約 144 億美元）建廠，為三星史上最大單一產線投資案。據三星表示，新廠第一階段施工目前已完成九成。

新晶片廠主要用於生產高容量 3D 立體 NAND 快閃記憶體。快閃記憶體可取代傳統硬碟，並廣泛應用於數位相機、智慧型手機與其他 USB 介面儲存裝置。

市調機構 DRAMeXchange 日前指出，三星穩坐去年第四季 NAND 快閃記憶體龍頭，受惠於供給吃緊、平均報價（ASP）飆升，三星 NAND 快閃記憶體當季報價增加 5%、單位出貨量季增 11-15%，推升營收成長近兩成（19.5%），市佔率來到 37.1%。

東芝同期間 NAND 記憶體市佔率達 18.3%，暫居第二。Western Digital 緊追在後，僅差東芝 0.6 個百分點。

（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：三星）