高通擁抱三星 EUV 製程,搶攻 5G 行動晶片

作者 | 發布日期 2018 年 02 月 22 日 12:00 | 分類 Samsung , 奈米 , 晶片 line share follow us in feedly line share
高通擁抱三星 EUV 製程,搶攻 5G 行動晶片


三星、高通週四宣布擴大晶圓代工業務合作,包含高通下一代 5G 行動晶片,將採用三星 7 奈米 LPP(Low-Power Plus)極紫外光(EUV)製程。

新聞稿指出,透過 7 奈米 LPP EUV 製程,驍龍(Snapdragon)5G 晶片組可減少占位空間,讓 OEM 廠有更多使用空間增加電池容量或做薄型化設計。除此之外,結合更先進晶片設計,將可明顯增進電池續航力。

三星 7 奈米製程首度導入極紫外光微影技術,預期可藉此突破摩爾定律(Moore’s Law)。對照 10 奈米 FinFET 製程,三星 7 奈米 LPP EUV 工序較少、良率較高,且效能提高一成,耗電減少最多 35%。

另外,三星 7 奈米廠本週五將動土,預計最快明年量產,但預料應該趕不上當年度 Galaxy S10 與 Note 10 的上市時程。(androidheadlines)

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:三星

延伸閱讀: